stmicroelectronics（st）最近發(fā)布了一款650v超結(jié)mosfet，這是一種具有高效能且可靠性能的功率開關(guān)。該超結(jié)mosfet采用了st的先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)，具有極低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，可在廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域中提供出色的性能。
該650v超結(jié)mosfet系列通過使用優(yōu)化的電極和結(jié)構(gòu)設(shè)計，實(shí)現(xiàn)了一流的性能，包括低導(dǎo)通電阻和良好的體二極管特性。此外，新款超結(jié)mosfet還具有優(yōu)異的電壓抑制能力和快速開關(guān)速度，這使得它適用于各種高效電源應(yīng)用。
這些mosfet器件在各種電力電子應(yīng)用中能夠提供出色的表現(xiàn)，包括電機(jī)控制，ups（不間斷電源）系統(tǒng)，太陽能逆變器和電力因數(shù)校正器。此外，該系列超結(jié)mosfet還適用于電動車充電器等領(lǐng)域。這些應(yīng)用通常需要高效能、高可靠性和長壽命的器件，而st新型650v超結(jié)mosfet正好符合這些要求。
該款超結(jié)mosfet的單個器件尺寸為to-220或to-247，包括各種不同的電流排列，從36a到92a，以滿足不同應(yīng)用的需求。此外，這些器件還具有溫度保護(hù)，可保證器件在超過其最大操作溫度時不會受到損壞。
總之，st的這款650v超結(jié)mosfet提供出色的性能和可靠性，適用于各種高效電源和電機(jī)控制應(yīng)用。其廣泛的電流排列和保護(hù)特性使其成為電力電子行業(yè)的理想選擇。