igbt的工作原理和作用通俗易懂版：
igbt就是一個開關，非通即斷，如何控制他的通還是斷，就是靠的是柵源極的電壓，當柵源極加+12v（大于6v,一般取12v到15v）時igbt導通，柵源極不加電壓或者是加負壓時，igbt關斷，加負壓就是為了可靠關斷。
igbt沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時當做開路。
igbt有三個端子，分別是g,d,s,在g和s兩端加上電壓后，內部的電子發(fā)生轉移（半導體材料的特點，這也是為什么用半導體材料做電力電子開關的原因），本來是正離子和負離子一一對應，半導體材料呈中性，但是加上電壓后，電子在電壓的作用下，累積到一邊，形成了一層導電溝道，因為電子是可以導電的，變成了導體。如果撤掉加在gs兩端的電壓，這層導電的溝道就消失了，就不可以導電了，變成了絕緣體。
igbt的工作原理和作用電路分析版：
igbt的等效電路如圖1所示。由圖1可知，若在igbt的柵極和發(fā)射極之間加上驅動正電壓，則mosfet導通，這樣pnp晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通；若igbt的柵極和發(fā)射極之間電壓為0v,則mosfet截止，切斷pnp晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。
圖1 igbt的等效電路
由此可知，igbt的安全可靠與否主要由以下因素決定：
--igbt柵極與發(fā)射極之間的電壓；
--igbt集電極與發(fā)射極之間的電壓；
--流過igbt集電極-發(fā)射極的電流；
--igbt的結溫。
如果igbt柵極與發(fā)射極之間的電壓，即驅動電壓過低，則igbt不能穩(wěn)定正常地工作，如果過高超過柵極-發(fā)射極之間的耐壓則igbt可能永久性損壞；同樣，如果加在igbt集電極與發(fā)射極允許的電壓超過集電極-發(fā)射極之間的耐壓，流過igbt集電極-發(fā)射極的電流超過集電極-發(fā)射極允許的最大電流，igbt的結溫超過其結溫的允許值，igbt都可能會永久性損壞。
絕緣柵極雙極型晶體管（igbt）