1，選購(gòu)固態(tài)硬盤要看哪些參數(shù)2，固態(tài)硬盤的參數(shù)3，固態(tài)硬盤的主要性能參數(shù)有哪些4，臺(tái)式機(jī)硬盤主要有哪幾種硬盤的主要技術(shù)參數(shù)有哪些5，簡(jiǎn)述硬盤的主要參數(shù)和性能指標(biāo)1，選購(gòu)固態(tài)硬盤要看哪些參數(shù)
主要看容易，閃存顆粒，主控芯片，讀取速度和存儲(chǔ)速度！我推薦 浦科特 p系列，閃迪至尊極速系列，intel原廠，三星pro系列這4個(gè)價(jià)格貴性能好！如果只考慮性能，那值得擁有固態(tài)硬盤的好壞主要看性能參數(shù):分別為最大讀寫速度,4kb隨機(jī)讀寫數(shù)值, 因?yàn)楣虘B(tài)硬與模式硬盤的存儲(chǔ)方式不同,尋道值基本上不存在,所以只需要看以上四個(gè)數(shù)值就可以了.如果4kb隨機(jī)讀寫數(shù)值過(guò)值,最大讀寫速度在高也沒有用.
2，固態(tài)硬盤的參數(shù)
1、你看的哪款機(jī)械硬盤，家用級(jí)的應(yīng)該沒這么快。硬盤的實(shí)際傳輸率取決于內(nèi)部傳輸速率，1030mbis/sec(持續(xù)78mb/sec)，前面的1030是數(shù)據(jù)位，后面不是寫了“持續(xù)78mb/sec”（平均實(shí)際傳輸率78mb/秒）每個(gè)品牌不一樣的，只是大概速度差不多。還有用的傳輸方式不一樣，讀寫速度也不一樣的。esata最高70m左右，usb的最高20m左右，放在電腦里面200m左右。實(shí)際的速度，有很多瓶頸在。
3，固態(tài)硬盤的主要性能參數(shù)有哪些
固態(tài)硬盤的好壞主要看性能參數(shù):分別為最大讀寫速度,4kb隨機(jī)讀寫數(shù)值, 因?yàn)楣虘B(tài)硬與模式硬盤的存儲(chǔ)方式不同,尋道值基本上不存在,所以只需要看以上四個(gè)數(shù)值就可以了.如果4kb隨機(jī)讀寫數(shù)值過(guò)值,最大讀寫速度在高也沒有用.1，標(biāo)稱的讀寫速度，當(dāng)然是越高越好，這個(gè)最好理解；2，iops，就是模擬4k大小的文件讀寫。為什么要模擬4k呢？因?yàn)閚tfs分區(qū)格式里4k被定義為一個(gè)簇，這是為了測(cè)試讀寫小文件時(shí)的速度，因?yàn)橄到y(tǒng)啟動(dòng)、大的游戲載入、大型軟件載入都會(huì)加載許多1k左右的配置文件還有其它很多小文件，這個(gè)時(shí)候就是ipos參數(shù)發(fā)揮作用的時(shí)候了?，F(xiàn)在主流的iops都在90k以上了（機(jī)械硬盤還在5k左右徘徊），就是每秒最高能讀或?qū)懀ò醋畲蟮乃?，一般ipos是讀得慢寫得快）90000個(gè)4k的文件（小小得瑟一下，我的950pro已經(jīng)達(dá)到300k了）；3，存儲(chǔ)顆粒類型，就是常說(shuō)的slc和mlc，這個(gè)意義不大，理論上slc的擦寫次數(shù)是10萬(wàn)次，而mlc的擦寫次數(shù)是1萬(wàn)次，注意了，是擦寫，不是讀寫啊，可以擦寫這么多次，讀無(wú)限次。也就是說(shuō)你買塊100g的硬盤，就算是mlc顆粒也允許你循環(huán)寫入100g*1萬(wàn)次=1pb的數(shù)據(jù)，就是1000t，100萬(wàn)g，假設(shè)你每天寫入100g的文件也能用上1萬(wàn)天，約等于27.4年。假設(shè)換成slc，10萬(wàn)次壽命，那么你每天寫入100g的話需要274年才能把它用廢，這東西等到274年后鐵定是文物了?，F(xiàn)在又有tlc顆粒，擦寫壽命只有300~500次，要照每天100g這種用法一年就廢了，但是一般情況下每天10g頂天了，這么說(shuō)是不是可以用10年了？你還記得10年前主流的機(jī)械硬盤是什么接口、容量多大嗎？
4，臺(tái)式機(jī)硬盤主要有哪幾種硬盤的主要技術(shù)參數(shù)有哪些
一、按大類型硬盤分為固態(tài)硬盤（ssd）和機(jī)械硬盤（hdd）；ssd采用閃存顆粒來(lái)存儲(chǔ)，hdd采用磁性碟片來(lái)存儲(chǔ)。 二、按大小分 ⒊5英寸臺(tái)式機(jī)硬盤；風(fēng)頭正勁，廣泛用于各種臺(tái)式計(jì)算機(jī)。⒉5英寸筆記本硬盤；廣泛用于筆記本電腦，桌面一體機(jī)，移動(dòng)硬盤及便攜式硬盤播放器。⒈8英寸微型硬盤；廣泛用于超薄筆記本電腦，移動(dòng)硬盤及蘋果播放器。⒈3英寸微型硬盤；產(chǎn)品單一，三星獨(dú)有技術(shù)，僅用于三星的移動(dòng)硬盤。⒈0英寸微型硬盤；最早由ibm公司開發(fā)，microdrive微硬盤（簡(jiǎn)稱md）。因符合cfⅱ標(biāo)準(zhǔn)，所以廣泛用于單反數(shù)碼相機(jī)。0.85英寸微型硬盤；產(chǎn)品單一，日立獨(dú)有技術(shù)，已知用于日立的一款硬盤手機(jī)，前rio公司的幾款mp3播放器也采用了這種硬盤。三、按廠商制造廠商 希捷（seagate） 西部數(shù)據(jù)（western digital）日立（hitachi）東芝（toshiba）三星（samsung）四、按接口 1、ata 2、ide 3、sata 4、sata ⅱ 5、sata ⅲ 6、scsi 7、光纖通道 8、sas接口現(xiàn)在常用的就兩種：機(jī)械硬盤、ssd固態(tài)硬盤。機(jī)械硬盤一般的參數(shù)有：轉(zhuǎn)速、單碟容量、緩存、尋道時(shí)間、接口標(biāo)準(zhǔn)。沒啥參數(shù)就兩家 希捷和西數(shù)愛買不買參數(shù)就是接口了……轉(zhuǎn)速都一樣 對(duì)了還有硬盤容量機(jī)械盤（hdd）品牌有 西部數(shù)據(jù)（wd）希捷（st）東芝、三星 分sata2、sata3接口，主要看容量、緩存和轉(zhuǎn)速，大小分2.5寸和3.5寸 固態(tài)硬盤（ssd）品牌就比較多了 金士頓、鎂光、三星、sandisk朗科、東芝等等，主要看儲(chǔ)存顆粒 尺寸一般分2.5寸和1.8寸，若要在臺(tái)式機(jī)裝固態(tài)硬盤需要裝2.5硬盤架
5，簡(jiǎn)述硬盤的主要參數(shù)和性能指標(biāo)
請(qǐng)簡(jiǎn)述硬盤的主要性能指標(biāo)？那要看你問(wèn)的什么硬盤了
就像你問(wèn)人的身高和體重一樣，首先你要提出是誰(shuí)的硬盤的主要性能參數(shù)
1.硬盤容量：
硬盤內(nèi)部往往有多個(gè)疊起來(lái)的磁盤片，所以說(shuō)硬盤容量=單碟容量×碟片數(shù)，單位為gb，硬盤容量當(dāng)然是越大越好了，可以裝下更多的數(shù)據(jù)。要特別說(shuō)明的是，單碟容量對(duì)硬盤的性能也有一定的影響：?jiǎn)蔚萘吭酱螅脖P的密度越高，磁頭在相同時(shí)間內(nèi)可以讀取到更多的信息，這就意味著讀取速度得以提高。
2.轉(zhuǎn)速：
硬盤轉(zhuǎn)速（rotationspeed）對(duì)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸率有直接的影響，從理論上說(shuō)，轉(zhuǎn)速越快越好，因?yàn)檩^高的轉(zhuǎn)速可縮短硬盤的平均尋道時(shí)間和實(shí)際讀寫時(shí)間，從而提高在硬盤上的讀寫速度；可任何事物都有兩面性，在轉(zhuǎn)速提高的同時(shí)，硬盤的發(fā)熱量也會(huì)增加，它的穩(wěn)定性就會(huì)有一定程度的降低。所以說(shuō)我們應(yīng)該在技術(shù)成熟的情況下，盡量選用高轉(zhuǎn)速的硬盤。
3.緩存：
一般硬盤的平均訪問(wèn)時(shí)間為十幾毫秒，但ram（內(nèi)存）的速度要比硬盤快幾百倍。所以ram通常會(huì)花大量的時(shí)間去等待硬盤讀出數(shù)據(jù)，從而也使cpu效率下降。于是，人們采用了高速緩沖存儲(chǔ)器（又叫高速緩存）技術(shù)來(lái)解決這個(gè)矛盾。簡(jiǎn)單地說(shuō)，硬盤上的緩存容量是越大越好，大容量的緩存對(duì)提高硬盤速度很有好處，不過(guò)提高緩存容量就意味著成本上升。
4.平均尋道時(shí)間（averageseektime）：
意思是硬盤磁頭移動(dòng)到數(shù)據(jù)所在磁道時(shí)所用的時(shí)間，單位為毫秒（ms）。平均訪問(wèn)時(shí)間越短硬盤速度越快。
5.硬盤的數(shù)據(jù)傳輸率（datatransferrate）：
也稱吞吐率，它表示在磁頭定位后，硬盤讀或?qū)憯?shù)據(jù)的速度。硬盤的數(shù)據(jù)傳輸率有兩個(gè)指標(biāo)：
6.突發(fā)數(shù)據(jù)傳輸率（burstdatatransferrate）：
也稱為外部傳輸率（externaltransferrate）或接口傳輸率，即微機(jī)系統(tǒng)總線與硬盤緩沖區(qū)之間的數(shù)據(jù)傳輸率。突發(fā)數(shù)據(jù)傳輸率與硬盤接口類型和硬盤緩沖區(qū)容量大小有關(guān)。
7.持續(xù)傳輸率（sustainedtransferrate）：
也稱為內(nèi)部傳輸率（internaltransferrate），它反映硬盤緩沖區(qū)未用時(shí)的性能。內(nèi)部傳輸率主要依賴硬盤的轉(zhuǎn)速。
8.控制電路板:
上面主要集成了用于調(diào)節(jié)硬盤盤片轉(zhuǎn)速的主軸調(diào)速電路、控制磁頭的磁頭驅(qū)動(dòng)與伺服電路和讀寫電路以及控制與接口電路等。除了這些保證硬盤基本功能的基礎(chǔ)電路以外，新式的硬盤上大多都還有自己的專用電路，主要是提供s.m.a.r.t（self- monitoring，analysisandreportingtechnology自我監(jiān)測(cè)、分析和報(bào)告系統(tǒng)）的支持和各廠商自己開發(fā)的提高硬盤可靠性的技術(shù)的硬件上的支持。 此外，電路板上還有一塊類似于bios芯片作用的rom。其中固化的程序可以在硬盤加電以后自動(dòng)執(zhí)行啟動(dòng)主軸電機(jī)、初始化尋道、定位和自檢等一系列初始化動(dòng)作。另外，硬盤上也自帶了一定數(shù)量的緩存，其作用我們前面已經(jīng)介紹過(guò)。硬盤的控制芯片負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)的交換和處理，是硬盤的核心部件之一。