晶體三極管由n-p-n（或p-n-p）三個(gè)區(qū)組成，從而形成兩個(gè)pn結(jié)，如圖所示。
圖1 npn型晶體三極管的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖以及電路符號(hào)
為實(shí)現(xiàn)電流放大作用，在結(jié)構(gòu)上要求集電區(qū)n的面積最大，且多子—電子的濃度最低；發(fā)射區(qū)n的面積次之，而多數(shù)載流子—電子的濃度最高；基區(qū)p的寬度要窄，多子—空穴的濃度較低。
大家知道，晶體管進(jìn)入飽和狀態(tài)后，集電結(jié)jc和發(fā)射結(jié)je都變?yōu)檎４藭r(shí)，兩個(gè)pn結(jié)都要進(jìn)行多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，集電區(qū)的電子向基區(qū)擴(kuò)散，發(fā)射區(qū)的電子也向基區(qū)擴(kuò)散，由于發(fā)射區(qū)多子濃度遠(yuǎn)高于集電區(qū)，所以擴(kuò)散后在基區(qū)形成的電子濃度梯度就不一樣了，如圖1所示。
圖2 npn晶體三極管飽和工作時(shí)基區(qū)電子濃度分布
①線表示發(fā)射區(qū)多子電子擴(kuò)散進(jìn)入基區(qū)后的電子濃度分布；②線表示集電區(qū)多子擴(kuò)散進(jìn)入基區(qū)后的電子濃度分布；③線表示在基區(qū)的電子總濃度分布曲線；
由于發(fā)射區(qū)的多子—電子濃度最高，所以擴(kuò)散進(jìn)入基區(qū)后，電子濃度梯度也最大（①線），集電區(qū)多子濃度低，擴(kuò)散后進(jìn)入基區(qū)的電子濃度梯度也低（②線）。
當(dāng)晶體管工作在放大狀態(tài)時(shí)，集電結(jié)jc是反向偏置的，發(fā)射區(qū)的多子電子（也稱非平衡載流子）擴(kuò)散進(jìn)入基區(qū)后，除極少部分和基區(qū)的空穴復(fù)合形成基極電流外，絕大部分將繼續(xù)擴(kuò)散，一旦到達(dá)集電結(jié)附近時(shí)，在jc反偏電場(chǎng)作用下，就立刻漂移到集電區(qū)，成為外電路集電極電流中的一大部分，所以，晶體三極管工作在放大區(qū)時(shí)，在集電結(jié)的邊緣是不可能有電子的積累的。
圖3 npn晶體三極管放大時(shí)基區(qū)電子濃度分布曲線
從圖3可以看出，晶體三極管飽和時(shí)，在基區(qū)的電子載流子的濃度梯度和放大工作時(shí)的梯度方向是一致的，因此，晶體三極管飽和工作時(shí)，雖然兩個(gè)pn結(jié)都是正向偏置了，但集電極電流ic還是從集電極流向發(fā)射極，與放大工作時(shí)的方向一致。