肖特基(schottky)二極管也稱肖特基勢壘二極管(簡稱sbd)，是由金屬與半導體接觸形成的勢壘層為基礎制成的二極管如圖 1所示，其主要特點是正向?qū)▔航敌?約0.45v)，反向恢復時間短和開關損耗小，是一種低功耗、超高速半導體器件。肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與pn結(jié)二極管有很大區(qū)別，它的內(nèi)部是由陽極金屬(用鉬或鋁等材料制成的阻擋層)、二氧化硅(sio2)電場消除材料、n-外延層(砷材料)、n型硅基片、n+陰極層及陰極金屬等構(gòu)成，如圖1所示。在n型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極，n型基片接電源負極)時，肖特基勢壘層變窄，其內(nèi)阻變小;反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。
圖 1
肖特基二極管存在的問題是耐壓比較低，反向漏電流比較大。目前應用在功率變換電路中的肖特基二極管的大體水平是耐壓在150v以下，平均電流在100a以下，反向恢復時間在10～40ns。肖特基二極管應用在高頻低壓電路中，是比較理想的。