本文為大家介紹閃存2d和3d(3d閃存和mlc閃存)，下面和小編一起看看詳細(xì)內(nèi)容吧。
隨著最新制程進(jìn)入1xnm時(shí)代，不少巨頭將閃存容量的進(jìn)一步增長寄托在了新的3d堆疊技術(shù)上。三星目前在這方面應(yīng)該是走得最遠(yuǎn)的，但是這種行業(yè)級(jí)的技術(shù)突破又怎能少得了黑科技不少的英特爾呢？今天英特爾終于公布了自己的3d nand閃存。
近日，英特爾副總裁兼非易失性閃存解決方案事業(yè)部總經(jīng)理rober crooke首次向投資者公開展示了英特爾3d nand閃存。
據(jù)他介紹，intel 3d閃存采用32層堆疊（與三星二代相同），其中約有40億個(gè)孔進(jìn)行垂直互連，最終實(shí)現(xiàn)單核容量256gb（32gb），更高比普通的二維閃存。加倍。 intel目前使用的是mlc閃存顆粒，不過已經(jīng)在設(shè)計(jì)tlc版本，單核容量可以輕松達(dá)到384gb（48gb）。
intel還聲稱，他們可以在2毫米的厚度內(nèi)實(shí)現(xiàn)1tb的容量，相當(dāng)于一張sd卡那么大，兩年內(nèi)就可以實(shí)現(xiàn)10+tb容量的固態(tài)硬盤。 intel計(jì)劃在2015年下半年推出基于3d閃存的固態(tài)硬盤，價(jià)格將極具競爭力。這種閃存將在美國猶他州生產(chǎn)，是英特爾和美光的合資企業(yè)，采用20+nm工藝，目前還不是最新的16nm。
小編點(diǎn)評：雖然固態(tài)硬盤的普及速度很快，但容量遠(yuǎn)小于普通硬盤這一點(diǎn)毋庸置疑一直是普及過程中最大的問題。并且通過堆疊技術(shù)，nand閃存的容量可以輕松翻倍，固態(tài)硬盤直接超越普通硬盤的容量也不是沒有可能！
延伸閱讀：1tb硬盤到底有多大？
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