發(fā)射區(qū)高摻雜：為了便于發(fā)射結(jié)發(fā)射電子，發(fā)射區(qū)半導體摻濃度高于基區(qū)的摻雜濃度，且發(fā)射結(jié)的面積較??；
基區(qū)尺度很薄:3~30μm，摻雜濃度低；
集電結(jié)面積大：集電區(qū)與發(fā)射區(qū)為同一性質(zhì)的摻雜半導體，但集電區(qū)的摻雜濃度要低，面積要大，便于收集電子。
三極管不是兩個pn結(jié)的間單拼湊，兩個二極管是組成不了一個三極管的！
工藝結(jié)構(gòu)在半導體產(chǎn)業(yè)相當重要，pn結(jié)不同材料成份、尺寸、排布、摻雜濃度和幾何結(jié)構(gòu)，能制成各樣各樣的元件，包括ic。