從結(jié)構(gòu)上看，n溝道耗盡型mos管與n溝道增強型mos管基本相似,其區(qū)別僅在于柵－源極間電壓vgs=0時，耗盡型mos管中的漏－源極間已有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生，而增強型mos管要在vgs≥vt時才出現(xiàn)導(dǎo)電溝道。原因是制造n溝道耗盡型mos管時，在sio2絕緣層中摻入了大量的堿金屬正離子na+或k+(制造p溝道耗盡型mos管時摻入負離子)，如圖1(a)所示，因此即使vgs=0時，在這些正離子產(chǎn)生的電場作用下，漏－源極間的p型襯底表面也能感應(yīng)生成n溝道(稱為初始溝道)，只要加上正向電壓vds，就有電流id。如果加上正的vgs，柵極與n溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的電子，溝道加寬，溝道電阻變小，id增大。反之vgs為負時，溝道中感應(yīng)的電子減少，溝道變窄，溝道電阻變大，id減小。當vgs負向增加到某一數(shù)值時，導(dǎo)電溝道消失，id趨于零，管子截止，故稱為耗盡型。溝道消失時的柵-源電壓稱為夾斷電壓，仍用vp表示。與n溝道結(jié)型場效應(yīng)管相同，n溝道耗盡型mos管的夾斷電壓vp也為負值，但是，前者只能在vgs<0的情況下工作。而后者在vgs=0，vgs>0，vp<vgs<0的情況下均能實現(xiàn)對id的控制，而且仍能保持柵-源極間有很大的絕緣電阻,使柵極電流為零。這是耗盡型mos管的一個重要特點。
圖1(b)、(c)分別是n溝道和p溝道耗盡型mos管的代表符號。
在飽和區(qū)內(nèi)，耗盡型mos管的電流方程與結(jié)型場效應(yīng)管的電流方程相同，即