1，請(qǐng)問大師那個(gè)固態(tài)比較好2，三星32 層3d vnand怎么樣3，三星的3d v nand 是基于slc嗎4，什么是3d vnand5，三星的ssd哪一款比較好840系列以后的120g及以上價(jià)格五百至1，請(qǐng)問大師那個(gè)固態(tài)比較好
860evo比較好。雖然都是mlc顆粒，采用3d v-nand 技術(shù)，連續(xù)讀寫更穩(wěn)定，多層技術(shù)使用壽命更長(zhǎng)。
2，三星32 層3d vnand怎么樣
在外觀設(shè)計(jì)上，三星850pro與840pro幾乎看不出任何區(qū)別。主控上，從840pro的mdx主控”升級(jí)“到mex主控，為什么”升級(jí)“二字加了雙引號(hào)呢？主要是因?yàn)槿ツ臧l(fā)布840evo正是采用了mex主控，可以說850pro的主控并沒有真正意義上的升級(jí)。而閃存方面的變化比較大，用了三星自己的32層3d v-nand技術(shù)，可提供兩倍于傳統(tǒng)20nm平面nand閃存的密度和寫入速度。去年，三星為數(shù)據(jù)中心批量生產(chǎn)的24層3d v-nand產(chǎn)品已經(jīng)在市場(chǎng)上有良好表現(xiàn)。現(xiàn)在，三星推出了全球首個(gè)針對(duì)客戶端pc的3d v-nand ssd。通過改為32層柱狀細(xì)胞結(jié)構(gòu)，可以垂直堆疊更多個(gè)細(xì)胞層，從而提高密度，降低碳足跡，可提供更出色的效能表現(xiàn)以及更好的穩(wěn)定性、可靠性。另外，在容量上，840pro最大容量?jī)H512gb，而850pro最大容量達(dá)到1tb
3，三星的3d v nand 是基于slc嗎
slc、mlc和tlc x3(3-bit-per-cell)架構(gòu)的tlc芯片技術(shù)是mlc和tlc技術(shù)的延伸，最早期nand flash技術(shù)架構(gòu)是slc(single-level cell)，原理是在1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料，直到mlc(multi-level cell)技術(shù)接棒后，架構(gòu)演進(jìn)為1個(gè)...在外觀設(shè)計(jì)上，三星850pro與840pro幾乎看不出任何區(qū)別。主控上，從840pro的mdx主控”升級(jí)“到mex主控，為什么”升級(jí)“二字加了雙引號(hào)呢？主要是因?yàn)槿ツ臧l(fā)布840evo正是采用了mex主控，可以說850pro的主控并沒有真正意義上的升級(jí)。而閃存方面的變化比較大，用了三星自己的32層3d v-nand技術(shù)，可提供兩倍于傳統(tǒng)20nm平面nand閃存的密度和寫入速度。去年，三星為數(shù)據(jù)中心批量生產(chǎn)的24層3d v-nand產(chǎn)品已經(jīng)在市場(chǎng)上有良好表現(xiàn)?，F(xiàn)在，三星推出了全球首個(gè)針對(duì)客戶端pc的3d v-nand ssd。通過改為32層柱狀細(xì)胞結(jié)構(gòu)，可以垂直堆疊更多個(gè)細(xì)胞層，從而提高密度，降低碳足跡，可提供更出色的效能表現(xiàn)以及更好的穩(wěn)定性、可靠性。另外，在容量上，840pro最大容量?jī)H512gb，而850pro最大容量達(dá)到1tb
4，什么是3d vnand
3d v-nand這是作為閃存芯片（nand)制造的新技術(shù)，3d v-nand主要從結(jié)構(gòu)方面對(duì)閃存芯片進(jìn)行了改進(jìn)。在之前的閃存芯片中，采用的都是2d平面設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)單元（cell）技術(shù)。使用3d v-nand技術(shù)之后，則將閃存芯片中的晶體管豎了起來，然后用絕緣體和控制柵極環(huán)繞包圍這這些晶體管，這樣就形成了一個(gè)“站立”起來的同軸結(jié)構(gòu)體。將這些同軸結(jié)構(gòu)體一層層向上堆疊，形成多層結(jié)構(gòu)，就構(gòu)成了3d v-nand的基本形態(tài)。在外觀設(shè)計(jì)上，三星850pro與840pro幾乎看不出任何區(qū)別。主控上，從840pro的mdx主控”升級(jí)“到mex主控，為什么”升級(jí)“二字加了雙引號(hào)呢？主要是因?yàn)槿ツ臧l(fā)布840evo正是采用了mex主控，可以說850pro的主控并沒有真正意義上的升級(jí)。而閃存方面的變化比較大，用了三星自己的32層3d v-nand技術(shù)，可提供兩倍于傳統(tǒng)20nm平面nand閃存的密度和寫入速度。去年，三星為數(shù)據(jù)中心批量生產(chǎn)的24層3d v-nand產(chǎn)品已經(jīng)在市場(chǎng)上有良好表現(xiàn)。現(xiàn)在，三星推出了全球首個(gè)針對(duì)客戶端pc的3d v-nand ssd。通過改為32層柱狀細(xì)胞結(jié)構(gòu)，可以垂直堆疊更多個(gè)細(xì)胞層，從而提高密度，降低碳足跡，可提供更出色的效能表現(xiàn)以及更好的穩(wěn)定性、可靠性。另外，在容量上，840pro最大容量?jī)H512gb，而850pro最大容量達(dá)到1tb
5，三星的ssd哪一款比較好840系列以后的120g及以上價(jià)格五百至
浦科特m6s 256g吧
evo的tlc閃存還是拉倒吧。。。
三星不推薦選擇。
為您推薦三星ssd 850evo系列。v-nand什么是 3d v-nand？它與現(xiàn)有技術(shù)有什么不同？三星獨(dú)一無二的創(chuàng)新性 3d v-nand 閃存架構(gòu)是一項(xiàng)巨大突破，克服了傳統(tǒng)平面 nand 架構(gòu)的密度、性能和耐久性局限。3d v-nand 的架構(gòu)設(shè)計(jì)通過讓 32 個(gè)芯片層彼此垂直堆疊，而不是縮減芯片尺寸并嘗試將自身容納到一個(gè)固定的水平空間，因此使得密度更高，性能更好，而占用的空間更小。極致讀取/寫入性能turbowrite 技術(shù)帶來無可匹敵的讀寫速度，優(yōu)化日常計(jì)算性能借助三星的 turbowrite 技術(shù)，實(shí)現(xiàn)終極讀寫性能，最優(yōu)化您的日常計(jì)算體驗(yàn)。相比 840 evo*，您不僅可以獲得超過 10% 的用戶體驗(yàn)提升，而且 120/250 gb 型號(hào)** 的隨機(jī)寫入速度最高可以提速 1.9 倍。850 evo 可以提供一流的順序讀取 (540 mb/s) 和寫入 (520 mb/s) 性能。此外，在客戶端 pc 使用情況下，您可以獲得針對(duì)全部 qd 的優(yōu)化的隨機(jī)性能。增強(qiáng)的可靠性3d v-nand 技術(shù)為耐久性和可靠性帶來保障支持 與上一代的 840 evo** 相比，850 evo 的 tbw * 翻倍，且可以提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的 5 年質(zhì)保，因此可以提供耐用性和可靠性保障。對(duì)比 840 evo，850 evo 可以最小化性能下降，從而帶來高達(dá) 30% 的穩(wěn)定性能提升，業(yè)已證明是值得依賴的存儲(chǔ)設(shè)備。
非要買三星的話只建議850 pro啊，256g吧。如果預(yù)算不夠就128g