熱釋電性能表征

發(fā)布時(shí)間:2024-02-25
熱釋電效應(yīng)的強(qiáng)弱可用熱釋電系數(shù)來(lái)表示。在溫度變化?t的情況下,如果晶體自發(fā)極化強(qiáng)度改變了?p,則?p與?t間的關(guān)系可用下式表示
?p=p?t
值范圍分別為i=1,2,3,4,5,6。由于晶體加熱時(shí),要保持晶體應(yīng)變?yōu)榱愕臈l件是不易實(shí)現(xiàn)的,所以在一般情況下測(cè)得的是自由熱釋電系數(shù)。
反過(guò)來(lái),對(duì)熱釋電晶體絕熱施加電場(chǎng)時(shí),其溫度將發(fā)生變化,這種效應(yīng)稱(chēng)為逆熱釋電效應(yīng)或電生熱效應(yīng)。
利用熱釋電效應(yīng)可制成性能良好的紅外敏感元件。其對(duì)熱釋電材料的要**:①能充分吸收入射的紅外線;②為了使吸收的單位熱能對(duì)應(yīng)大的溫度上升幅度,熱釋電材料體比熱應(yīng)小,且方便加工成微型或薄膜化元件;③跟溫度對(duì)應(yīng)的表面電荷變化大,即熱釋電系數(shù)p大,室溫下的戶(hù)值p大,t(居里溫度)適當(dāng)高時(shí),熱釋電系數(shù)p變大(t低使工作溫度受到限制,且熱釋電系數(shù)p的溫度變化也大);④與表面電荷變化相應(yīng)的電容小,即材料的介電量??;⑤構(gòu)成嗓聲源之一的介電損耗角正切tanδ小。
*熱釋電性能表征*
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