要提高ttl門(mén)電路的工作速度，必須對(duì)電路加以改進(jìn)。顯然，影響門(mén)電路開(kāi)關(guān)速度的一個(gè)重要因素是晶體管飽和與截止相互轉(zhuǎn)換的時(shí)間。為減小這一時(shí)間，可采取以下措施。
① 減輕晶體管的飽和深度，甚至使輸出級(jí)晶體管不飽和；
② 設(shè)法使晶體管基區(qū)的存儲(chǔ)電荷盡快消散。
圖 sttl與非門(mén)
由此出發(fā)，人們?cè)O(shè)計(jì)了抗飽和ttl與非門(mén)，如左圖所示。它與典型ttl與非門(mén)相比有兩點(diǎn)改進(jìn)。第一，用帶肖特基勢(shì)壘二極管（sbd）的三極管來(lái)代替典型ttl與非門(mén)中所有可能在飽和狀態(tài)下工作的晶體管 、 、 和 ；第二，增加了一個(gè)由晶體管 、電阻 和 構(gòu)成的有源泄放電路來(lái)代替典型ttl與非門(mén)中 的發(fā)射極電阻 。它們的作用分述如下。
1． sbd三極管的作用。
sbd三極管的等效電路如右圖所示，它是由sbd跨接在三極管基極和集電極之間所得到的一種三極管。sbd正向壓降比一般硅二極管小，僅有0.3~0.4v。當(dāng)三極管截止、放大或剛進(jìn)入飽和時(shí)，sbd均反偏截止，輸入電流全部流入基極形成 。sbd的接入不會(huì)影響三級(jí)管的開(kāi)啟時(shí)間。隨著三極管飽和，集電結(jié)變?yōu)檎．?dāng) 0.3v時(shí)，sbd導(dǎo)通，由于三極管僅在淺飽和狀態(tài)下工作，從而減少了電荷存儲(chǔ)的時(shí)間。
2． 有源泄放電路的作用
u 加速 管由截止到導(dǎo)通的過(guò)程 在sttl電路中，當(dāng)輸入電壓由低電平變?yōu)楦唠?br>
平時(shí)， 由截止轉(zhuǎn)為導(dǎo)通。由于 、 的存在，使 ＞ ，故 將先于 導(dǎo)通。此時(shí)，由于 尚未導(dǎo)通，故 射極電流的絕大部分都注入 的基極。由此說(shuō)明，有源負(fù)載的引入加速了 的到通過(guò)程。
u 加速 管由導(dǎo)通導(dǎo)截止的轉(zhuǎn)換過(guò)程 在sttl電路中，當(dāng)輸入電壓由高電平變?yōu)?br>
低電平時(shí)， 截止， 和 也將隨之截止。但由于 的基極和集電極分別通過(guò) 和 接至 基極，故在 基區(qū)存儲(chǔ)電荷消耗完畢之前， 發(fā)射結(jié)仍為正偏，因而 仍處于導(dǎo)通狀態(tài)，又因 的基極無(wú)泄放電阻，所以 必定比 晚一些截止。于是 基區(qū)中的存儲(chǔ)電荷可通過(guò)導(dǎo)通的 進(jìn)行泄放。而在典型的ttl與非門(mén)中， 基區(qū)中的存儲(chǔ)電荷只能通過(guò) 泄放，顯然sttl的 基區(qū)電荷的泄放要比典型ttl電路快得多，從而加速了 的截止過(guò)程。
在sttl門(mén)電路的基礎(chǔ)上，又相繼研制出低功耗肖特基箝位ttl（簡(jiǎn)稱(chēng)lsttl）電路和性能更為優(yōu)良的先進(jìn)的肖特基箝位ttl（簡(jiǎn)稱(chēng)asttl/alsttl）電路。（有興趣可查閱有關(guān)的器件手冊(cè)）
ttl集成門(mén)電路除與非門(mén)外，還有與門(mén)、非門(mén)、或門(mén)、或非門(mén)、與或非門(mén)、異或門(mén)等。此外，還有為提高驅(qū)動(dòng)能力而設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)器（也稱(chēng)功率門(mén)），以及主要起隔離作用的緩沖門(mén)等電路，都不再一一討論。