堆疊技術(shù)是指將多個芯片層疊在一起形成一個三維堆疊結(jié)構(gòu)的封裝技術(shù)。這種技術(shù)可以大幅提高芯片集成度，同時也可以在同等尺寸下提高性能和降低功耗。
堆疊技術(shù)可以在多個方面實現(xiàn)先進(jìn)性。
1. 高集成度：堆疊技術(shù)把多個芯片層疊在一起，可以大大提高芯片的集成度。例如，將存儲芯片和處理器芯片堆疊在一起，可以在同樣的尺寸下實現(xiàn)更多的功能，從而提高設(shè)備的整體性能。
2. 低功耗：堆疊技術(shù)可以將多個芯片堆疊在一起，從而減少芯片之間的通訊距離，減少數(shù)據(jù)傳輸延遲和能耗。
3. 體積?。憾询B技術(shù)可以將多個芯片堆疊在一起，從而減少系統(tǒng)的總體積，使得設(shè)備更小巧、輕便，更加適合應(yīng)用于移動設(shè)備等場景。
下面是堆疊技術(shù)的一些舉例：
1. hbm(high bandwidth memory)：將高速存儲器堆疊在邏輯芯片上，使得內(nèi)存訪問延遲大大降低，同時還可以提高內(nèi)存帶寬，從而提高顯卡的性能。
2. tsv(trough silicon via)：溝道型硅通孔是一種技術(shù)，可允許芯片直接連接在一起，同時傳輸能源和數(shù)據(jù)。這種技術(shù)可以使得芯片之間的通訊更加高效，從而提高性能和降低功耗。
3. 3d nand：是一種將多個閃存層堆疊在一起以增加密度的技術(shù)，同時它提高了內(nèi)存容量。例如，三星tlc ssd的固態(tài)硬盤制造使用3d nand技術(shù)，使得它可以達(dá)到更大的存儲量，同時還具有更好的性能和耐久性。
綜上所述，堆疊技術(shù)在提高集成度，降低功耗，減小體積等方面都具有很大的優(yōu)勢，可以實現(xiàn)更高的性能和更快的速度，它正迅速成為芯片封裝技術(shù)中的一項關(guān)鍵技術(shù)。