(1)主存儲(chǔ)器的兩個(gè)重要技術(shù)指標(biāo)
◎讀寫速度：常常用存儲(chǔ)周期來度量，存儲(chǔ)周期是連續(xù)啟動(dòng)兩次獨(dú)立的存儲(chǔ)器操作(如讀操作)所必需的時(shí)間間隔。
◎存儲(chǔ)容量：通常用構(gòu)成存儲(chǔ)器的字節(jié)數(shù)或字?jǐn)?shù)來計(jì)量。
(2)主存儲(chǔ)器與cpu及外圍設(shè)備的連接
是通過地址總線、數(shù)據(jù)總線、控制總線進(jìn)行連接，見下圖
主存儲(chǔ)器與cpu的連接
◎地址總線用于選擇主存儲(chǔ)器的一個(gè)存儲(chǔ)單元，若地址總線的位數(shù)k，則最大可尋址空間為2k。如k=20,可訪問1mb的存儲(chǔ)單元。
◎數(shù)據(jù)總線用于在計(jì)算機(jī)各功能部件之間傳送數(shù)據(jù)。
◎控制總線用于指明總線的工作周期和本次輸入/輸出完成的時(shí)刻。
(3)主存儲(chǔ)器分類
◎按信息保存的長短分：rom與ram
◎按生產(chǎn)工藝分：靜態(tài)存儲(chǔ)器與動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器
靜態(tài)存儲(chǔ)器(sram)：讀寫速度快，生產(chǎn)成本高，多用于容量較小的高速緩沖存儲(chǔ)器。
動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(dram)：讀寫速度較慢，集成度高，生產(chǎn)成本低，多用于容量較大的主存儲(chǔ)器。
靜態(tài)存儲(chǔ)器與動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器主要性能比較如下表：
靜態(tài)和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器芯片特性比較
sram dram
存儲(chǔ)信息 觸發(fā)器 電容
破壞性讀出 非 是
需要刷新 不要 需要
送行列地址 同時(shí)送 分兩次送
運(yùn)行速度 快 慢
集成度 低 高
發(fā)熱量 大 小
存儲(chǔ)成本 高 低
動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的定期刷新：在不進(jìn)行讀寫操作時(shí)，dram 存儲(chǔ)器的各單元處于斷電狀態(tài)，由于漏電的存在，保存在電容cs 上的電荷會(huì)慢慢地漏掉，為此必須定時(shí)予以補(bǔ)充，稱為刷新操作。