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首頁經(jīng)驗(yàn)nand flash和nor flash的區(qū)別
nand flash和nor flash的區(qū)別
1、nor的讀取速度更快，nand的寫入速度更快。
2. nor 閃存有一個sram 接口，有足夠的引腳來尋址并輕松訪問其中的每個字節(jié)。 nand 設(shè)備使用復(fù)雜的i/o 端口串行訪問數(shù)據(jù)，方法可能因產(chǎn)品或供應(yīng)商而異。
3. nand閃存單元的尺寸小于nor。由于更簡單的生產(chǎn)過程，nand結(jié)構(gòu)可以在給定的芯片尺寸內(nèi)提供更高的容量，從而降低價格。 nor閃存占據(jù)了1-16mb閃存市場的絕大部分，而nand閃存僅用于8-128mb的產(chǎn)品。這也說明nor主要用于代碼存儲介質(zhì)。
4、nand閃存每塊最大擦除次數(shù)為100萬次，而nor閃存每塊最大擦除次數(shù)為10萬次。除了具有10 比1 塊擦除周期的優(yōu)勢外，典型的nand 塊大小比nor 設(shè)備小8 倍，并且每個nand 存儲塊在給定時間的擦除次數(shù)更少。
數(shù)據(jù)擴(kuò)展：nand flash的數(shù)據(jù)以位的形式存儲在存儲單元中。一般來說，一個單元只能存儲一位。這些cell以8或16為單位連接成位線，形成所謂的byte(x8)/word(x16)，也就是nand device的位寬。 nand flash以page為單位讀寫數(shù)據(jù)，以block為單位擦除數(shù)據(jù)。
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