晶體管的特性除用特性曲線表示外，還可用一些數(shù)據(jù)來說明，這些數(shù)據(jù)就是晶體管的參數(shù)。晶體管的參數(shù)也是設(shè)計電路、選用晶體管的依據(jù)。主要參數(shù)有下面幾個：
1、電流放大系數(shù)β(—)，β
如上所述，當(dāng)晶體管接成共發(fā)射極電路時，在靜態(tài)(無輸入信號)時集電極電流與
基極電流的比值稱為共發(fā)射極靜態(tài)電流(直流)放大系數(shù)
當(dāng)晶體管工作在動態(tài)(有輸入信號)時，基極電流的變化量為，它引起集電極電流的變化量為。與的比值稱為動態(tài)電流(交流)放大系數(shù)
例、從下圖(即圖)所給出得3dg100晶體管的輸出特性曲線上，計算點(diǎn)處的β(—)；(2)由和兩點(diǎn)，計算β。
解：
(1) 在點(diǎn)處，=6v，=40μa=0.04ma ，=1.5ma ，故
(2) 由和兩點(diǎn)(=6v)得
由以上可見，β(—)和β的含義是不同的，但在輸出特性曲線近于平行等距并且較小的情況下，兩者數(shù)值較為接近。今后在估算時，常用這個近似關(guān)系。常用晶體管的β值在20 ～200之間。
2、集－基極反向截止電流
是當(dāng)發(fā)射極開路時流經(jīng)集電結(jié)的反向電流，其值很小。在室溫下，小功率鍺管的約為幾微安到幾十微安，小功率硅管在1μa以下。越小越好。硅管在溫度穩(wěn)定性方面勝于鍺管。
3、集－射極反向截止電流
是當(dāng)基極開路()時的集電極電流，也稱為穿透電流。硅管的約為幾微安，鍺管的約為幾十微安，其值越小越好。
4、集電極最大允許電流
集電極電流超過一定值時，晶體管的β值要下降。當(dāng)β值下降到正常數(shù)值的2/3時的集電極電流，稱為集電極最大允許電流。因此，在使用晶體管時，超過并不一定會使晶體管損壞，但以降低β值為代價。
5、集－射極反向擊穿電壓
基極開路時，加在集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓，稱為集－射極反向擊穿電壓。當(dāng)電壓大于時，-突然大幅度上升，說明晶體管已被擊穿。
圖 晶體管的安全工作區(qū)
6、集電極最大允許耗散功率
由于集電極電流在流經(jīng)集電結(jié)時將產(chǎn)生熱量，使結(jié)溫升高，從而會引起晶體管參數(shù)變化。當(dāng)晶體管因受熱而引起的參數(shù)變化不超過允許值時，集電極所消耗的最大功率，稱為集電極最大允許耗散功率。
有，，三者共同確定晶體管的安全工作區(qū)，如圖所示。
以上所討論的幾個參數(shù)，其中β，，是表明晶體管優(yōu)劣的主要指標(biāo)；，，都是極限參數(shù)，用來說明晶體管的使用限制。