本文為大家介紹128層tlc固態(tài)(tb級內存)，下面和小編一起看看詳細內容吧。
東芝和西部數(shù)據(jù)開發(fā)的64層堆棧512gb核心容量tlc閃存和硬盤已經開始出貨。此前，三星、美光、英特爾也發(fā)布了64層堆疊的3d nand閃存，而sk海力士的3d nand閃存堆疊層數(shù)更多。很多，去年底推出了48層堆棧，今年4月推出了72層堆棧的閃存。下一步是96 層堆棧，然后是128 層堆棧。核心容量可增至1tb (238gb)。
另外，tlc閃存現(xiàn)在已經成為市場主流，明年qlc閃存將正式商用，而mlc閃存可能要走slc閃存的路子。
與其他廠商的3d nand閃存相比，sk海力士的3d nand閃存堆棧層數(shù)更多。去年其他廠商還在疊32層的時候，做出了48層的疊。今年，其他制造商有64 層堆棧。sk海力士搞的是72層堆棧，不過雖然層數(shù)很多，但是sk海力士3d閃存的核心容量并不高。 4月份發(fā)布的72層堆棧3d閃存核心容量僅為256gbit，僅為256gbit，其他公司只有32層。在3d nand閃存層面，東芝、西部數(shù)據(jù)和三星的64層堆棧已經可以做到512gbit的核心容量。
sk海力士不僅會增加堆棧層數(shù)，還會增加容量。 tomshardware報道稱，他們的下一代產品是96層堆棧，核心容量將增加到512gbit。當然，這還沒有結束。原文稱其他韓國ssd廠商（指三星？）將推出128層堆疊3d nand閃存，核心容量提升至1tbit。
這是什么概念？目前主流閃存的核心容量只有256gbit，1tbit的容量密度是它的四倍，即128gb容量。但是，我們在ssd上常見的nand芯片是由多個核心組成的，即使有4個核心，那么一塊閃存的容量也是512gb。像m.2這樣的ssd正反面至少可以配置4塊閃存，容量輕松達到2tb。如果里面的核心比較多，那么4tb、8tb也是正常的。
當然，128層堆疊的3d nand閃存可能還要一兩年才能問世。今年主流是64層棧，明年升級到96層。 128層大概要等到2019年。
除了堆棧層數(shù)之外，還有其他方法可以增加nand容量并降低成本。這就是nand一路走來的slc、mlc、tlc以及未來的qlc閃存slc。它的好處大家都知道，性能最強，可靠性最高。但成本也是最貴的，其次是mlc。不幸的是，它現(xiàn)在只出現(xiàn)在一些高端機型上。 tlc閃存之前一直被吐槽性能差、可靠性低，但現(xiàn)在tlc閃存已經成為主流，尤其是在3d nand時代。
下一步是qlc閃存，即quad bit per cell（每單元4bit）。每個cell單元可以容納4bits的數(shù)據(jù)，比tlc的3bits多。優(yōu)點是容量較大，缺點和tlc一樣。這是以犧牲可靠性和寫入性能為代價的，因為qlc對信號的控制要求更嚴格，需要更多的驗證。
從近幾年的情況來看，英特爾、美光、三星等公司早就在研究qlc閃存。它從實驗室進入市場只是時間問題。更具體的信息在臺北電腦展上給出。明年的電腦展就能看到qlc閃存了。不僅僅是th的報道，本報記者團隊在與廠商溝通時也得到了類似的信息，那就是qlc閃存將在明年下半年問世。
從tlc初體驗來看，qlc前期肯定會面臨性能和可靠性方面的質疑，但更低成本、更大容量的訴求，讓qlc無法退卻，這條路也無法逆轉。更可悲的是，之前大家都認為是次品的mlc閃存將會越來越稀有。一旦qlc成熟，mlc閃存狗帶的命運就在所難免。
對于消費者來說，其實不需要太在意閃存的種類。閃存的可靠性之所以較早受到關注，不僅是先天的技術問題，還有一個重要因素是之前的ssd容量太小，而對于nand來說容量=壽命。您購買的容量越大，可用時間越長。待qlc閃存成熟后，ssd硬盤容量估計為tb級。無需擔心寫入壽命。看技術進步。
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