1，ssd和hdd玩吃雞的流暢度差別有多大2，15000轉(zhuǎn)硬盤和ssd比速度能差多少3，請問各位高手固態(tài)硬盤ssd和一般的磁盤hdd速度相差多少我聽4，固態(tài)硬盤和內(nèi)存虛擬硬盤速度差多少5，固態(tài)硬盤的速度和內(nèi)存條的速度差距多少1，ssd和hdd玩吃雞的流暢度差別有多大
當(dāng)今普能磁盤性能嚴(yán)重拖垮了系統(tǒng)的性能，新出的固態(tài)硬盤具有速度快、耐用、抗震、防摔、靜音、體積小、重量輕等優(yōu)點，但相對采用7200轉(zhuǎn)的高速普通硬盤玩吃雞，固態(tài)硬盤對游戲的加載速度有飛速提升，但在游戲啟動之后，數(shù)據(jù)由內(nèi)存和顯卡顯存負責(zé)處理，此后硬盤參與的環(huán)境并不大，固態(tài)硬盤對游戲幀數(shù)沒有什么提高。單從吃雞來說，吃雞對顯卡要求較高，可優(yōu)先考慮升級顯卡，再考慮使用固態(tài)硬盤。支持一下感覺挺不錯的
2，15000轉(zhuǎn)硬盤和ssd比速度能差多少
其實你可以這么理解——ssd相當(dāng)于100萬轉(zhuǎn)的硬盤……不過一般還要看具體情況的。因為兩種硬盤一般人倒是感覺不到那么非常大的差距。而且ssd相對于機械硬盤最大的優(yōu)勢是4k大小文件的讀取。用平均尋道時間來對比的話，大概是6-7萬轉(zhuǎn)的硬盤。因為ssd可以做到0.1毫秒的平均尋道時間，希捷的15000轉(zhuǎn)硬盤只是5毫秒左右，西數(shù)的10000轉(zhuǎn)就是7毫秒左右。 至于讀取速度和隨機儲存的性能，由于不同ssd有很大不同，所以沒定論。
3，請問各位高手固態(tài)硬盤ssd和一般的磁盤hdd速度相差多少我聽
hdd有7200轉(zhuǎn)/s,10000轉(zhuǎn)/s。ssd簡單的說就是flash陣列，單個flash寫速度8m/s,讀速度40m/s但是采取了多通道,dma等技術(shù)，sdd的性能有很大提高而且flash的瓶頸在于接口帶寬，如果可以pci-e接口，ssd速度至少是300mb/s 目前，業(yè)界ssd的最高性能已經(jīng)達到1.5gb/s現(xiàn)在的硬盤水平好象是110m以上吧，不過你可以采取并聯(lián)硬盤的方式來提速，這個方法前提是你的主板支持，如果是amd主主板750南橋就可以啦，或者850也行：）再看看別人怎么說的。
4，固態(tài)硬盤和內(nèi)存虛擬硬盤速度差多少
內(nèi)存讀取速度能到15000多m/s，寫入速度在13000左右，現(xiàn)在最好的固態(tài)硬盤讀取速度也就能到400多m/s，寫入速度更低點，也就200多吧。 只能用天差地別來形容。只能用天差地別來形容。 如果你用內(nèi)存虛擬一塊硬盤出來再用硬盤測試軟件測就知道了。但是也說了速度差距大，應(yīng)用上差距更大，因為內(nèi)存條使用的芯片是dram芯片，dram 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，dram使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 （關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù)） 固態(tài)硬盤，基于閃存的固態(tài)硬盤是固態(tài)硬盤的主要類別，其內(nèi)部構(gòu)造十分簡單，固態(tài)硬盤內(nèi)主體其實就是一塊pcb板，而這塊pcb板上最基本的配件就是控制芯片、緩存芯片和用于存儲數(shù)據(jù)的閃存芯片。就是一塊容量更大，速度更快的u盤。 目前市面上比較常見的固態(tài)硬盤有indilinx、sandforce、jmicron、marvell、samsung以及intel等多種主控芯片。主控芯片是固態(tài)硬盤的大腦，其作用一是合理調(diào)配數(shù)據(jù)在各個閃存芯片上的負荷，二則是承擔(dān)了整個數(shù)據(jù)中轉(zhuǎn)，連接閃存芯片和外部sata接口。不同的主控之間能力相差非常大，在數(shù)據(jù)處理能力，算法，對閃存芯片的讀取寫入控制上會有非常大的不同，直接會導(dǎo)致固態(tài)硬盤產(chǎn)品在性能上差距高達數(shù)十倍。
5，固態(tài)硬盤的速度和內(nèi)存條的速度差距多少
內(nèi)存的基本構(gòu)架和固態(tài)硬盤發(fā)熱構(gòu)架完全不同，固態(tài)硬盤的存儲芯片是非易失性存儲介質(zhì)（nvram），也就是沒有電源后內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)不會丟失。nand型閃存為例，它的隨機存取速度慢，而且寫入數(shù)據(jù)之前還要對區(qū)塊進行擦除，使得寫速度僅有讀取速度的1/2~1/4，這種現(xiàn)象在目前廣泛使用的mlc nand上更加嚴(yán)重。此外，nand的壽命也難以令人滿意，一般slc型nand可以承受10萬次左右讀寫，而mlc型nand則更低。內(nèi)存是雙倍速率sdram（dual date rate sdrsm，ddr sdram）：又簡稱ddr，由于它在時鐘觸發(fā)沿的上、下沿都能進行數(shù)據(jù)傳輸，所以即使在133mhz的總線頻率下的帶寬也能達到2.128gb/s。ddr不支持3.3v電壓的lvttl，而是支持2.5v的sstl2標(biāo)準(zhǔn)。它仍然可以沿用現(xiàn)有sdram的生產(chǎn)體系，制造成本比sdram略高一些，但仍要遠小于rambus的價格，因為制造普通sdram的設(shè)備只需稍作改進就能進行ddr內(nèi)存的生產(chǎn)，而且它也不存在專利等方面的問題，所以它代表著未來能與rambus相抗衡的內(nèi)存發(fā)展的一個方向。內(nèi)存也固態(tài)硬盤的區(qū)別就是停電了固態(tài)硬盤里的數(shù)據(jù)不會丟失而內(nèi)存的數(shù)據(jù)就會消失。而且底層構(gòu)架不同也就決定了存儲速率的差別。ps：在百度上找不到關(guān)于內(nèi)存底層構(gòu)架的文章，上面的資料有部分是以前在專業(yè)書上看到的現(xiàn)在回憶有可能有疏漏，望大家海涵。