igbt全稱(chēng)是insulated gate bipolar transistor，絕緣柵雙極型晶體管，是由bit（雙極型三極管）和mos（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)型電力電子器件，本質(zhì)上是一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，只是在漏極和漏區(qū)之間多了一個(gè)p型層。
功率模塊的好壞判斷主要是對(duì)功率模塊內(nèi)的續(xù)流二極管的判斷。對(duì)于igbt模塊還需判斷在有觸發(fā)電壓的情況下能否正常導(dǎo)通和關(guān)斷。
將數(shù)字萬(wàn)用表?yè)艿蕉O管測(cè)試檔，測(cè)試igbt模塊cl原el、c2原e2 之間以及柵極g 與el、e2 之間正反向二極管特性來(lái)判斷igbt模塊是否完好。
igbt 的驅(qū)動(dòng)電路有什么特點(diǎn)？
答：驅(qū)動(dòng)電路的作用是將微處理器輸出的脈沖進(jìn)行功率放大，以驅(qū)動(dòng)igbt，保證igbt的可靠工作。驅(qū)動(dòng)電路起著至關(guān)重要的作用，igbt 驅(qū)動(dòng)電路有以下基本特點(diǎn)：
（1）提供適當(dāng)?shù)恼蚝头聪蜉敵鲭妷?，使igbt可靠的開(kāi)通和關(guān)斷。
（2）提供足夠大的瞬態(tài)功率或瞬時(shí)電流，使igbt能迅速建立柵控電場(chǎng)而導(dǎo)通。
（3）具有盡可能小的輸入輸出延遲時(shí)間，以提高工作效率。
（4）具有足夠高的輸入輸出電氣隔離性能，使信號(hào)電路與柵極驅(qū)動(dòng)電路絕緣。
（5）具有靈敏的過(guò)流保護(hù)能力。
以igbt為逆變管的變頻器的特點(diǎn)？
答：以igbt為逆變管的變頻器的逆變電路與gtr 等其他逆變電路基本相同，但igbt 逆變電路具有以下特點(diǎn)：
（1）載波頻率高。大多數(shù)變頻器的載波頻率可在（3耀15 khz）的范圍內(nèi)任意可調(diào)。載波頻率越高，電流的諧波成分越小。
（2）功耗減小。由于igbt的驅(qū)動(dòng)電路取用電流極小，幾乎不消耗功率。而gtr基極回路取用電流常常是安培級(jí)的，消耗功率不可小視。