晶閘管是在半導體二極管、三極管之后出現的一種新型的大功率半導體器件，它是一種可控制的硅整流元件，亦稱可控硅。其外形、結構及圖形符號如圖所示，它有三個電極，即陽極a，陰極k，控制極（又稱門極）g。根據功率的大小，具有to92、to220、螺栓形和平板形等多種封裝形式，如圖（a）所示。螺栓形帶有螺栓的那一端是陽極a，它可與散熱器固定，另一端的粗引線是陰極k，細線是控制極g ，這種結構更換方便，用于100a以下元件。平板形中間的金屬環(huán)是控制極g ，離控制極遠的一面是陽極a，近的一面是陰極k，這種結構散熱效果比較好，用于200a以上的元件。
晶閘管是由四層半導體構成的，如圖（b）所示。它由單晶硅薄片p1、n1、p2、n2四層半導體材料疊成，形成三個pn結。晶閘管的圖形符號如圖（c）所示。
圖晶閘管外形、結構及圖形符號
（a）外形封裝 （b）內部結構 （c）圖形符號