1、結(jié)構(gòu)
在一塊高電阻率的n型硅半導(dǎo)體基片上，引出兩個(gè)電極，第一基極與第二基極，這兩個(gè)基極之間的電阻約為2—12kω。在兩個(gè)基極之間，設(shè)法摻入p型雜質(zhì)鋁，引出電極成為發(fā)射極，由于只有一個(gè)pn結(jié)，故稱(chēng)單結(jié)晶體管。
2、特性
1）當(dāng)q1斷開(kāi)q2閉合時(shí)，外加基極電壓由rb1rb2分壓，
ua=ηubb
2）當(dāng)ubb斷開(kāi)，q1閉合加上ue時(shí)，二極管與rb1組成串聯(lián)電路，發(fā)射極電壓與電流的伏安特性如圖所示。
3）管子加上一定的基極電壓，ue從零開(kāi)始增大，當(dāng)小于ua時(shí)，二極管反偏，只有很小的反向漏電流；當(dāng)ue再增大，二極管開(kāi)始正偏，到峰值電壓時(shí)，發(fā)射極電流顯著增大，rb1減小，出現(xiàn)一個(gè)與常規(guī)相反的現(xiàn)象，電壓隨電流的增大而減小，即動(dòng)態(tài)電阻為負(fù)值，這就是單結(jié)晶體管所特有的負(fù)阻特性。
4）隨著電壓的逐漸減小，小于谷點(diǎn)電壓時(shí)管子將重新截止。