1.bjt工作在截止區(qū)或放大區(qū)，集電極電位總高于基極電位，這就避免了bjt因工作在飽和狀態(tài)而產(chǎn)生的存儲電荷問題。
2.邏輯電平的電壓擺幅小，輸入電壓變化δv1≈1v（-1.85～-0.81v），集電極輸出電壓變化δvo≈0.85v(-1.75～-0.9v),高低電平的電壓差值已經(jīng)小到只能區(qū)分bjt的導通和截止兩種狀態(tài)。集電極輸出電壓的變化小，這不僅有利于電路的轉換，而且可采用很小的集電極電阻rc。因此，ecl門的負載電阻總是在幾百歐的數(shù)量級，使輸出回路的時間常數(shù)比一般飽和型電路小，有利于提高開關速度。
ecl門的速度快，常用于高速系統(tǒng)中。它的主要缺點是制造工藝要求高，功耗大，抗干擾能力弱。而且由于輸出電壓為負值，若與其他門電路接口，需用專門的電平位移電路。
雙極型邏輯門電路除了ttl和ecl之外，尚有集成注入邏輯門電路(iil或i2l)和高閥值邏輯門電路(htl)。iil電路由于它的電路簡單，易于在硅片上實現(xiàn)高集成度的器件，因而在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中得到應用。由于它的高、低電平電壓差值很小，抗干擾能力較差，因而這種門電路的推廣受到限制。至于htl電路，雖然它有較強的抗干擾能力，但它的功耗大，開關速度也不高，已不生產(chǎn)，為cmos電路所取代。