根據(jù)如圖（a)所示的共基電路交流通路，可畫出其高頻小信號等效電路如圖（b)所示。首先，我們來考察bjt電容cb¢e和cb¢c以及負(fù)載電容cl對高頻響應(yīng)的影響。
(a) 交流通路
(b) 高頻小信號等效電路
一、cb¢e的影響
由共基電路高頻小信號等效電路可見，如果忽略rbb¢的影響，則cb¢e直接接于輸入端，輸入電容ci=cb¢e，不存在密勒倍增效應(yīng)，且與cb¢c無關(guān)。所以，共基電路的輸入電容比共射電路的小得多，fh1很高。理論分析的結(jié)果 。
二、cb¢c以及負(fù)載電容cl的影響
如果忽略rbb¢的影響，則cb¢c直接接到輸出端，也不存在密勒倍增效應(yīng)。輸出端總電容cb¢c+ cl，輸出回路時間常數(shù)為 ，該輸出回路決定的fh2為
如果 和cl較大，則fh2較低。所以說，共基電路與共射電路一樣，承受容性負(fù)載的能力較差，負(fù)載電容cl將成為制約共基電路高頻響應(yīng)的主要因素。而對于純阻負(fù)載，共基電路的高頻特性將非常好。