gto有許多參數(shù)與晶閘管相同，這里只介紹一些與晶閘管不同的參數(shù)。
(1) 最大可關(guān)斷陽(yáng)極電流iato
電流過(guò)大時(shí)α1+α2稍大于1的條件可能被破壞，使器件飽和程度加深，導(dǎo)致門(mén)極關(guān)斷失敗。
(2) 關(guān)斷增益off
gto的關(guān)斷增益off為最大可關(guān)斷陽(yáng)極電流iato與門(mén)極負(fù)電流最大值igm之比，off通常只有5左右。
門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路和緩沖電路
1. 可關(guān)斷晶閘管的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路
影響gto導(dǎo)通的主要因素有：陽(yáng)極電壓、陽(yáng)極電流、溫度和門(mén)極觸發(fā)信號(hào)等。陽(yáng)極電壓高，gto導(dǎo)通容易，陽(yáng)極電流較大時(shí)易于維持大面積飽和導(dǎo)通，溫度低時(shí)，要加大門(mén)極驅(qū)動(dòng)信號(hào)才能得到與室溫時(shí)相同的導(dǎo)通效果。
(1) 對(duì)門(mén)極觸發(fā)信號(hào)的要求
因?yàn)間to工作在臨界飽和狀態(tài)，所以門(mén)極觸發(fā)信號(hào)要足夠大，
脈沖前沿(正、負(fù)脈沖)越陡越有利，而后沿平緩些好。正脈沖后沿太陡會(huì)產(chǎn)生負(fù)尖峰脈沖；負(fù)脈沖后沿太陡會(huì)產(chǎn)生正尖峰脈沖，會(huì)使剛剛關(guān)斷的gto的耐壓和陽(yáng)極承受的du/dt降低。
為了實(shí)現(xiàn)強(qiáng)觸發(fā)，門(mén)極正脈沖電流一般為額定觸發(fā)電流(直流)的(3～5)倍。
(2) 門(mén)極觸發(fā)方式
gto門(mén)極觸發(fā)方式通常有下面三種：
① 直流觸發(fā)
在gto被觸發(fā)導(dǎo)通期間，門(mén)極一直加有直流觸發(fā)信號(hào)。
② 連續(xù)脈沖觸發(fā)
在gto被觸發(fā)導(dǎo)通期間，門(mén)極上仍加有連續(xù)觸發(fā)脈沖，所以也稱脈沖列觸發(fā)。
③ 單脈沖觸發(fā)
即常用的脈沖觸發(fā)，gto導(dǎo)通之后，門(mén)極觸發(fā)脈沖即結(jié)束。采用直流觸發(fā)或脈沖列觸發(fā)方式gto的正向管壓降較小。采用單脈沖觸發(fā)時(shí)，如果陽(yáng)極電流較小，則管壓降較大，用單脈沖觸發(fā)，應(yīng)提高脈沖的前沿陡度，增大脈沖幅度和寬度，才能使gto的大部分或全部達(dá)飽和導(dǎo)通狀態(tài)。
緩沖電路
吸收過(guò)電壓的有效方法是在器件兩端并聯(lián)一個(gè)吸收過(guò)電壓的阻容電路。如果吸收電路元器件的參數(shù)選擇不當(dāng)，或連線過(guò)長(zhǎng)造成分布電感l(wèi)s過(guò)大等，也可能產(chǎn)生嚴(yán)重的過(guò)電壓。
緩沖電路元件的選擇
應(yīng)選取較小的rs，rs的阻值一般應(yīng)選取10ω～20ω 。rs不應(yīng)選用線繞式的，而應(yīng)是涂膜工藝制作的無(wú)感電阻。要求二極管vds能快速開(kāi)通、反向恢復(fù)時(shí)間trr短和反向恢復(fù)電荷qr盡量小。吸收電路中的cs也應(yīng)當(dāng)是無(wú)感元件，以盡可能減小吸收電路的雜散分布電感l(wèi)s。