1，slcmlctlc閃存芯片顆粒有什么區(qū)別2，固態(tài)mlc和slc閃存硬盤有何區(qū)別3，nand slc ssd是什么4，slc顆粒工業(yè)級cf卡和ssd固態(tài)硬盤的問題5，2012 ssd迅速普及 mlcslc顆粒你懂嗎1，slcmlctlc閃存芯片顆粒有什么區(qū)別
slc、mlc、tlc閃存芯片顆粒有什么區(qū)別? slc = single-level cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格貴(約mlc 3倍以上的價格)，約10萬次擦寫壽命; mlc = multi-level cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命 tlc = trinary-level cell，即3bit/cell，也有flash廠家叫8lc，速度慢壽命短，價格便宜，約500-1000次擦寫壽命。 mlc和tlc特性比較 結(jié)論：slc > mlc > tlc 目前大多數(shù)u盤都是采用tcl芯片顆粒，其優(yōu)點是價格便宜，不過速度一般，壽命相對較短。 而ssd固態(tài)硬盤中，目前mlc顆粒固態(tài)硬盤是主流，其價格適中，速度與壽命相對較好，而低價ssd固態(tài)硬盤普遍采用的是tcl芯片顆粒，大家在購買固態(tài)硬盤的時候，可以在產(chǎn)品參數(shù)中去了解，如下圖所示。 slc顆粒固態(tài)目前主要在一些高端固態(tài)硬盤中出現(xiàn)，售價多數(shù)上千元，甚至更貴。
2，固態(tài)mlc和slc閃存硬盤有何區(qū)別
mlc（multi-level-cell）技術(shù)，由英特爾于1997年率先推出，能夠讓單個存儲單元保存兩倍的數(shù)據(jù)量。mlc內(nèi)存顆粒是個相當(dāng)良好的低價解決方案，可大幅節(jié)省制造商端的成本，但是mlc nand顆粒制成的compactflash卡相較于slc（single-lecel_cell） 內(nèi)存顆粒的產(chǎn)品有著寫入速度慢、耗電多、壽命短的缺點，mlc顆粒制成的產(chǎn)品只有10x（1.5mbyte/sec）的寫入速度，slc 顆粒制成的產(chǎn)品可以達到 22x（3.2mbyte/sec）的寫入速度。intel 在1997年9月最先開發(fā)成功，能夠讓單個存儲單元保存兩倍的數(shù)據(jù)量；
slc 與 mlc 的參數(shù)對比：
item slc mlc
電壓 3.3v/1.8v 3.3v
生產(chǎn)工藝 / 芯片尺寸 0.12um 0.16um
頁容量 / 塊容量 2kb/128kb 512kb/32kb or 2kb/256kb
訪問時間（最大） 25us 70us
頁編程時間（典 型） 250us 1.2ms
可否局部編程 yes no
擦寫次數(shù) 100k 10k
數(shù)據(jù)寫入速率 8mb/s+ 1.5mb/s
3，nand slc ssd是什么
nand是目前閃存顆粒用的技術(shù)，ssd里面的存儲顆粒就是一顆顆nand flash（閃存）slc表示一種閃存顆粒的類型，區(qū)別是最小存儲單元可以存儲的數(shù)據(jù)位數(shù)量。如果最小存儲單元只區(qū)分2個電位（高低電位），等于只能存儲0或1，即1位（1bit）數(shù)據(jù)。這種類型的nand閃存就叫做slc。以此類推，還有mlc：最小存儲單元區(qū)分4個電位，即00，01，10，11。tlc：區(qū)分8個電位。同樣一個最小的存儲單元，區(qū)分的電位越多，存儲密度越大。假設(shè)一顆slc nand是1gb的話，做成mlc就是2gb，tlc就是3gb。所以slc會比后面的貴得多，容量也不容易做大。但slc好處是：區(qū)分的電位越多，每個電位間區(qū)別越小，讀寫速度越慢（難以識別和寫入），壽命也越短（損耗一點點就錯位了）。所以slc比mlc、tlc速度快，可擦寫次數(shù)更多。目前的情況是，slc一般用于企業(yè)級ssd，以及intel智能響應(yīng)技術(shù)的加速盤。mlc一般用于桌面級ssd。tlc的ssd因為技術(shù)和可靠性的原因幾乎還沒有。但tlc則已經(jīng)幾乎統(tǒng)治了u盤和存儲卡市場（因為價格戰(zhàn)太厲害，利潤太低，沒人愿意上好的nand）。所以除非是高速的存儲卡，u盤和存儲卡存數(shù)據(jù)是很不可靠的哦。mlc的理論可寫入次數(shù)僅為1萬次左右，slc的可達到10萬次左右。意思就是你可以用那種芯片的u盤復(fù)制、粘貼、刪除數(shù)據(jù)等次數(shù)1萬或10萬次，也就是他們的理論壽命。各有各的優(yōu)點缺點。日立企業(yè)級ssd（固態(tài)硬盤）。想想就可以了意淫下吧！任何一款企業(yè)級ssd的價格都是足以讓我等仰望的！
4，slc顆粒工業(yè)級cf卡和ssd固態(tài)硬盤的問題
后者更合適，前者的來源能有可靠的才考慮。固態(tài)硬盤：1.采用閃存存儲，讀取速度比普通機械硬盤更快沒有磁頭等問題2.其實對于使用固態(tài)硬盤來說，品牌 無所謂哪個都一樣，只要質(zhì)保好就可以了。因為固態(tài)盤質(zhì)保非常不太好。3.系統(tǒng)最好裝在固態(tài)里面，其他大容量的數(shù)據(jù)最好放在普通硬盤里面。因為固態(tài)硬盤與優(yōu)盤存儲介質(zhì)都是由芯片自稱的。使用壽命決定于使用次數(shù)，大概120g固態(tài)硬盤 使用壽命在20年左右吧。flash不建議存儲大容量的數(shù)據(jù)。會降低使用壽命的，也就是品牌讀寫會浪費壽命次數(shù)4.雖然防震抗摔，但是真的摔到點子上了，也是一種損失還是小心些。5.使用過程中也不會出現(xiàn)機械硬盤的工作聲音，比較靜音，也沒有機械硬盤那么耗電，硬盤芯片工作溫度在-40-85度都是正常的。關(guān)于接口：分為：sata串口（sata2.0和sata3.0），pci-e，lif，msata、cfast 等4k對齊：條件：支持高級格式化的固態(tài)硬盤（2011年以后都可以）1.可以下載paragon alignment：安裝運行可以看到顯示綠色就證明是對齊了，黃色的就沒有對其可以對齊，紅色就表示盤不支持也無法對齊。或者下載硬盤檢測工具 as ssd benbhmark 安裝后可以看到提示，同上。2.對于新盤，win7安裝過程中，格式化工具進行格式化，這樣分區(qū)就直接開始4k對齊，如果分區(qū)有系統(tǒng)分區(qū)，必須選擇主磁盤分區(qū)，分區(qū)大小選擇自己想要的大小，不要太小了。3.已使用的硬盤，在不破壞自己硬盤里面數(shù)據(jù)的前提下。也可以試試如有問題可以追問，希望能幫助大家 愿采納，網(wǎng)上有很多支持的軟件，也可以試試~~~~拿水果刀砍柴，和拿柴刀削蘋果，哪個更合適？cf和ssd用途不一樣，沒什么可比性。再看看別人怎么說的。
5，2012 ssd迅速普及 mlcslc顆粒你懂嗎
經(jīng)過3-4年的發(fā)展，如今固態(tài)硬盤已經(jīng)成為很多用戶垂延的it產(chǎn)品 ，大家不再糾結(jié)它容量太小，而是更加依賴它高速讀寫能力。雖然用戶開始關(guān)注ssd硬盤 固態(tài)硬盤flash顆粒 要認(rèn)清問題，首先要搞明白什么是slc和mlc，它們屬于兩種不同類型的nand flash存儲器，用來作為mp3播放器、u盤、固態(tài)硬盤等產(chǎn)品的存儲介質(zhì)。slc全稱是single-level cell，即單層單元閃存，而mlc全稱則是multi-level cell，即為多層單元閃存。它們之間的區(qū)別，在于slc每一個單元，只能存儲一位數(shù)據(jù)，mlc每一個單元可以存儲兩位數(shù)據(jù)，mcl的數(shù)據(jù)密度要比slc大一倍。 ● slc和mlc芯片 這樣在nand flash的底層存儲上就引出了兩種不同的模式，slc（single level cell）和mlc（multi levels cell），它們之間各有優(yōu)缺點，現(xiàn)在在各類產(chǎn)品中都有采用。下面這樣表格可以較為直觀的展示出他們性能區(qū)別。 slc nand flash mlc nand flash random read 25 μs 50 μserase2ms per block 2ms per block programming 250 μs 900 μs slc的一個flash存儲單元只有兩種電荷值，高低不同的電荷值表明0或者1，因為只需要一組高低電壓就可以區(qū)分出0或者1信號，所以slc最大的驅(qū)動電壓可以做到很低。slc結(jié)構(gòu)簡單，用一組變化電壓驅(qū)動，速度很快同時壽命較長也更為可靠，不過這種一個block只存儲一組數(shù)據(jù)的模式無法在相同的晶圓面積上實現(xiàn)較高的存儲密度，存儲容量提高完全依賴芯片工藝的提升。 slc芯片mlc閃存芯片 mlc故名思義在存儲單元中實現(xiàn)多位存儲能力，典型的是2bit。它通過不同級別的電壓在一個單元中記錄兩組位信息（00、01、11、10），這樣就可以將原本slc的記錄密度理論提升一倍。因為電壓變化更頻繁，所以mlc技術(shù)的flash在壽命方面遠(yuǎn)劣于slc，同時它的讀寫速度不如slc，一個block存儲兩組位數(shù)據(jù)，自然需要更長的時間，這里面還有電壓控制、crc寫入方式等因素需要考慮。 slc和mlc電壓驅(qū)動的存儲能力區(qū)別 顯而易見，slc在壽命和性能方面擁有獨特的優(yōu)勢，不過需要更好的工藝制程才能擁有較大的容量。而mlc雖然在容量方面有先天的優(yōu)勢，但在速度和壽命方面存在先天的不足。這就區(qū)格了它們的應(yīng)用，slc用在不計成本追求速度和可靠性的企業(yè)級產(chǎn)品中，mlc更適合在消費級產(chǎn)品中部署。