隨著微電子機(jī)械加工系統(tǒng)技術(shù)的日趨成熟而為傳感器行業(yè)帶來一場新的革命，對于壓力、差壓、液位傳感器而言，其封裝的傳感器芯片本質(zhì)將決定終產(chǎn)品的性能與等級(jí)。以目前市場上廣泛采用的硅芯片技術(shù)而言，硅壓阻技術(shù)加工工藝成熟，但其信噪比特性與溫度特性有待提高；硅諧振技術(shù)加工工藝復(fù)雜過壓特性不好。
單晶硅差壓變送器芯片采用超高純度單晶硅材質(zhì)，其材質(zhì)特性優(yōu)于市場上通用的復(fù)合硅、擴(kuò)散硅材料，芯片采用德國領(lǐng)些的單晶硅雙梁懸浮式技術(shù)，結(jié)合了硅壓阻與硅諧振技術(shù)雙方特點(diǎn)，并從設(shè)計(jì)與工藝上做出了創(chuàng)新性優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)高精度、高穩(wěn)定性、低溫度影響、超高過壓等優(yōu)異性能，*適用于工業(yè)過程控制、自動(dòng)化制造、航天航空、汽車與船舶、醫(yī)療衛(wèi)生等多個(gè)領(lǐng)域。
單晶硅差壓變送器的注意事項(xiàng)：
1、切勿用高于36v電壓加到變送器上，導(dǎo)致變送器損壞;
2、切勿用硬物碰觸膜片，導(dǎo)致隔離膜片損壞;
3、被測介質(zhì)不允許結(jié)冰，否則將損傷傳感器元件隔離膜片，導(dǎo)致變送器損壞，必要時(shí)需對變送器進(jìn)行溫度保護(hù)，以防結(jié)冰;
4、在測量蒸汽或其他高溫介質(zhì)時(shí)，其溫度不應(yīng)超過變送器使用時(shí)的極限溫度，高于變送器使用的極限溫度必須使用散熱裝置;
5、測量蒸汽或其他高溫介質(zhì)時(shí)，應(yīng)使用散熱管，使變送器和管道連在一起，并使用管道上的壓力傳至變壓器。當(dāng)被測介質(zhì)為水蒸氣時(shí)，散熱管中要注入適量的水，以防過熱蒸汽直接與變送器接觸，損壞傳感器;
6、在壓力傳輸過程中，應(yīng)注意以下幾點(diǎn)，
①變送器與散熱管連接處，切勿漏氣;
②開始使用前，如果閥門是關(guān)閉的，則使用時(shí)，應(yīng)該非常小心、緩慢地打開閥門，以免被測介質(zhì)直接沖擊傳感器膜片，從而損壞傳感器膜片;
③管路中必須保持暢通，管道中的沉積物會(huì)彈出，并損壞傳感器膜片;