（１）v(br)cbo────e極開路，c-b結(jié)的反向擊穿電壓。此時流經(jīng)c-b極的是icbo。當(dāng)反向電壓vcb增至一定程序時，icbo急劇增大，最后導(dǎo)致?lián)舸?br>（２）v(br)ceo--b極開c-e極之間的反向擊穿電壓。此時流經(jīng)c-e極的是iceo。當(dāng)反向電壓vce增加到iceo開始上升時的vce就是v(br)ceo。應(yīng)該注意，在此情況下，當(dāng)集電結(jié)開始擊穿時，ic增大，同時發(fā)射結(jié)分到的正向電壓增大，使e區(qū)注入b區(qū)的電子增多，ie增大。ie的增大又將使ic進(jìn)一步增大。所以，這里有一個培增效應(yīng)，而最后使c-e極之間擊穿電壓v(br)ceo要比v(br)cbo小即v(br)ceo>v(br)cbo。
（３）v(br)cer和v(br)ces--b-e極之間接電阻（ｒ）和短路（ｓ）時的v(br)ce。在b-e極之間接電阻r后，發(fā)射結(jié)被分流。當(dāng)集電結(jié)反向電流icbo流過b極時，由于分流而使流過發(fā)射結(jié)的電流減少。所以，在上面（２）中所說的倍增效應(yīng)減小，為了進(jìn)入擊穿狀態(tài)，必須加大vce。也就是說，v(br)cer>v(br)ceo。電阻ｒ愈小，它對發(fā)射結(jié)的分流作用愈大，所以進(jìn)入擊穿狀態(tài)時，所需的vce愈大。當(dāng)r＝0并略去基區(qū)的體電阻rbb`，則發(fā)射結(jié)相當(dāng)于短路。此時v(br)cbo≈v(br)ces。