由 6 個芯片硅 p/n 光電二極管陣列組成的光學器件，輸出信號具有高均勻性。 該器件基于 pin 二極管，具有反向偏置的性能。 每個硅片的有效面積為 2.5 x 1.1 mm2。高光學響應度歸因于沉積在光電二極管有源區(qū)域上的優(yōu)化抗反射涂層。 暗電流非常適合高溫應用。選擇材料是為了在整個溫度范圍下面文章將為您具體講解下《優(yōu)勢供應optoi光電二極管oid7》等內容，還請感興趣的繼續(xù)閱讀了解一下，謝謝!
由 6 個芯片硅 p/n 光電二極管陣列組成的光學器件，輸出信號具有高均勻性。 該器件基于 pin 二極管，具有反向偏置的性能。 每個硅片的有效面積為 2.5 x 1.1 mm2。
高光學響應度歸因于沉積在光電二極管有源區(qū)域上的優(yōu)化抗反射涂層。 暗電流非常適合高溫應用。
選擇材料是為了在整個溫度范圍內獲得更好的性能。oid7與市場上其他標準件完全兼容，如opr2100、ol2100、pa2100； 它在硅片（前端）和封裝（后端）中都有特殊設計，從而提高了組件的可靠性。
性能特點
高響應度 (> 0.65 a/w @ *= *p)高量子效率（> 90% @ vr=5v）擴展溫度范圍 -40°c +125°c廣泛的活動區(qū)域快速響應時間低暗電流完全兼容 opr2100-ol2100-pa2100
技術參數(shù)
工作溫度范圍：-40…125 °c
儲存溫度：-40：125 °c
引線溫度（焊料）3s：260 °c
反向擊穿電壓@ta=25°c ir=100ua：40 v
芯片對環(huán)境（封裝）的熱阻：110 °c/w
暗電流
t=25°c vr=5v：典型0.35 na ，max.5 na
t=125°c vr=5v：典型5 ua
響應度 vr=5v λ=950nm：0.5…0.65 a/w
峰值響應度 vr=5v：950 nm
光譜帶寬@50% vr=5v：600…1050 nm
正向電壓 if=10ma：0.85 v
上升時間 (10%...90%) （vr=20v rl=50，λ=650nm ip=250ua）：40 ns
下降時間 (90%...10%) ：40 ns
電容 vr=0v f=10khz φ=0：典型20 pf，max.30 pf
有效面積：2.75 mm2
有效區(qū)域長度：2.5 mm
有效區(qū)域寬度：1.1 mm
產(chǎn)品尺寸
產(chǎn)品應用
增量旋轉編碼器
增量線性編碼器
一般用途
產(chǎn)品參數(shù)
以上就是今天小編為大家分享的有關《優(yōu)勢供應optoi光電二極管oid7》的全部文章內容了