1．晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律
以npn型管為例，晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)分為三個(gè)過(guò)程：
（1）發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子，形成發(fā)射極電流 ie
（2）電子在基區(qū)的擴(kuò)散與復(fù)合——形成基極電流 ib
（3）集電極收集發(fā)射區(qū)過(guò)來(lái)的電子——形成集電極電流 ic
2．晶體管的電流分配關(guān)系
關(guān)鍵電子在基區(qū)中擴(kuò)散與復(fù)合的比例，使得 ，這就是晶體管的電流放大作用。
（1）滿足 ie=ib+ic≈ic
（2） =電流放大系數(shù) β
晶體管的電流放大作用，從內(nèi)因來(lái)看，與晶體管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)有關(guān)。從外因來(lái)看，電子在發(fā)射區(qū)要發(fā)射，發(fā)射結(jié)要正向偏置，電子在集電區(qū)要被收集，集電結(jié)要反向偏置，顯然對(duì)于不同管型的晶體管都要保證這種合理的外部供電。
因此，對(duì)于npn管uc>ub>ue，對(duì)于pnp管ue>ub>uc 。