真空鍍碳儀為sem、tem、stem、eds/wds、ebsd和微探針分析提供高質(zhì)量的鍍膜技術(shù)。系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊，所占空間小。樣品室直徑150mm，可快速抽真空進(jìn)行鍍膜處理，處理周期約10分鐘。高真空條件下使用超純的碳棒為嚴(yán)格的高分辨掃描電鏡、透射電鏡、ebsd及探針分析提供高質(zhì)量的鍍膜處理。.組件設(shè)計(jì)方式可方便地對(duì)不同優(yōu)化條件下的各種應(yīng)用進(jìn)行切換
碳蒸發(fā)控制：
1、208c對(duì)碳棒－bradley型碳蒸發(fā)源使用*的*集成的反饋控制設(shè)計(jì)。
2、電流和電壓通過磁控頭的傳感線監(jiān)控，蒸發(fā)源作為反饋回路中的一部分被控制。該蒸發(fā)裝置使常規(guī)的碳棒具有優(yōu)良的穩(wěn)定性和重現(xiàn)性。功率消耗低，碳棒具有異常的重新蒸鍍特性。
3、蒸發(fā)源使用兩步超純碳棒。
4、蒸發(fā)源可以手動(dòng)“脈沖”或“連續(xù)”的方式進(jìn)行鍍膜。“脈沖”方式如果和mtm-10高分辨膜厚監(jiān)測(cè)儀一起使用，可以準(zhǔn)確得到所需要的膜厚。自動(dòng)方式下的操作非常方便，操作者只要設(shè)定電壓和時(shí)間，可以得到一致的鍍膜效果。
真空鍍碳儀的操作規(guī)程：
1、連接電源并打開主機(jī)（power）。
2、等綠燈亮后，再等3~5分鐘再調(diào)節(jié)電壓（4v）和時(shí)間（6s）。
3、打開主機(jī)背面的小開關(guān)，調(diào)整轉(zhuǎn)速在3~4檔，并設(shè)定電壓和時(shí)間。
4、打開測(cè)厚儀并使其歸零。
5、按start鍵開始噴碳。
6、實(shí)驗(yàn)結(jié)束先停止設(shè)備轉(zhuǎn)動(dòng)，并先關(guān)掉設(shè)備背面小開關(guān)。
7、再關(guān)power。
8、關(guān)機(jī)后打開玻璃罩上蓋，等其降到實(shí)溫之后再將其蓋好。