本文為大家介紹內(nèi)存時(shí)序越高越好嗎(內(nèi)存時(shí)序高會(huì)怎么樣)，下面和小編一起看看詳細(xì)內(nèi)容吧。
內(nèi)存是低時(shí)序低頻率好還是高時(shí)序高頻率好
除非對(duì)功耗非常敏感（功耗與運(yùn)行頻率有關(guān)），當(dāng)然是頻率越高越好，頻率越高，運(yùn)行速度越快。
時(shí)序?qū)π阅艿挠绊懼挥?-5%?，F(xiàn)在高頻內(nèi)存的時(shí)序比較大，不用擔(dān)心。選頻為王。前提是你的cpu能拉高，不然就是浪費(fèi)錢。
如果你電腦的顯卡和cpu都不是頂級(jí)的，就沒必要買頻率特別高的內(nèi)存條。就算顯卡和cpu再頂級(jí)，買個(gè)高頻內(nèi)存條也只能提高十幾幀。
首先考慮內(nèi)存容量，8g肯定比4g好。其次，考慮時(shí)機(jī)和頻率。兩者是相對(duì)的。更低的時(shí)序和更高的頻率是最好的選擇。通常，時(shí)序越低，超頻的潛力就越大。超頻，首先你需要了解超頻的概念。
一般來說，高比低好。擴(kuò)容：但是內(nèi)存主要是為了滿足cpu的需要，頻率太高就沒有必要了，因?yàn)楝F(xiàn)在電腦的瓶頸不是內(nèi)存。如果太高，速度提升不明顯，但采購(gòu)成本會(huì)上去。在大多數(shù)情況下，內(nèi)存容量比頻率重要得多。
時(shí)序就是內(nèi)存的潛伏期，越低越好。高頻的內(nèi)存條往往很難抑制時(shí)序，所以高頻低時(shí)序的內(nèi)存一般都比較貴。圖中左邊頻率低，但時(shí)序較好，右邊頻率高，時(shí)序稍差。綜合性能來說，右邊的更強(qiáng)一些。
內(nèi)存時(shí)序數(shù)字是大好還是小好
1.時(shí)序就是內(nèi)存的延遲，越低越好。高頻的內(nèi)存條往往很難抑制時(shí)序，所以高頻低時(shí)序的內(nèi)存一般都比較貴。圖中左邊頻率低，但時(shí)序較好，右邊頻率高，時(shí)序稍差。綜合性能來說，右邊的更強(qiáng)一些。
2、由于內(nèi)存時(shí)序末位小，延遲少，速度快，穩(wěn)定性差。內(nèi)存時(shí)序最后一位大代表延遲大，速度慢，穩(wěn)定性高。內(nèi)存nb頻率，數(shù)值越高，內(nèi)存效率越高。不過晉級(jí)越高，就越不穩(wěn)定。頻率越高，帶寬數(shù)據(jù)越大。
3、里面的時(shí)鐘表示時(shí)鐘的個(gè)數(shù)。 ddr3中沒有時(shí)鐘的時(shí)間是25ns，13個(gè)時(shí)鐘意味著125ns的延遲。所以這個(gè)值越小越好。
4. delay, precharge, cycle time，數(shù)字越小，內(nèi)存性能越好。但并不是延遲越小內(nèi)存性能越高，也不是數(shù)值越大性能越差。延遲時(shí)間、延遲、預(yù)充電、循環(huán)時(shí)間，這四組數(shù)字相互配合，相互影響。我個(gè)人認(rèn)為比例合理，調(diào)整得當(dāng)。
5.內(nèi)存時(shí)序，最好的時(shí)序設(shè)置記錄在內(nèi)存的spd中。主板可以自動(dòng)讀取。默認(rèn)是自動(dòng)的，不需要人工干預(yù)。如果手動(dòng)設(shè)置，將時(shí)序設(shè)置為較小的值，可以提高計(jì)算機(jī)的性能。但是也很容易崩潰。
內(nèi)存延遲時(shí)序高好還是低好？?
1、內(nèi)存時(shí)序高說明系統(tǒng)性能低，延遲大，因此會(huì)對(duì)計(jì)算機(jī)性能造成一定的影響。內(nèi)存時(shí)序的數(shù)字越小通常意味著性能越快。決定系統(tǒng)性能的最后一個(gè)因素是實(shí)際延遲，通常以納秒為單位。內(nèi)存時(shí)序是描述內(nèi)存模塊性能的參數(shù)。
2.時(shí)序是內(nèi)存的延遲，越低越好。高頻的內(nèi)存條往往很難抑制時(shí)序，所以高頻低時(shí)序的內(nèi)存一般都比較貴。圖中左邊頻率低，但時(shí)序較好，右邊頻率高，時(shí)序稍差。綜合性能來說，右邊的更強(qiáng)一些。
3. 本質(zhì)上，由于它們代表延遲，因此時(shí)間越短越好。這四個(gè)數(shù)字代表所謂的“主要時(shí)序”，它對(duì)延遲有最顯著的影響。內(nèi)存時(shí)序的四個(gè)數(shù)字對(duì)應(yīng)的參數(shù)分別為cl、trcd、trp、tras，單位為時(shí)間周期。
內(nèi)存的時(shí)序到底是越高越好還是越低越好
延遲越低，速度越快。一般來說，內(nèi)存頻率越高，延遲越大。 adata red veyron ddr2 800+ cl4-4-4-12是這樣標(biāo)注的，不過頻率一般在800m時(shí)是5-5-5-15，667m時(shí)可能是4-4-4-12。志奇ddr2 800 cl5-5-5-15應(yīng)該不錯(cuò)。
目前一般較好的內(nèi)存條都會(huì)在參數(shù)中標(biāo)注cl值。一般來說，時(shí)序是決定內(nèi)存性能的一個(gè)參數(shù)，但并不代表時(shí)序越低性能越好。還與存儲(chǔ)容量和頻率有關(guān)，只能說在容量和頻率相同的兩塊內(nèi)存中，時(shí)序越低性能越好。
對(duì)于內(nèi)存時(shí)序，最好讓主板自動(dòng)設(shè)置。對(duì)于內(nèi)存時(shí)序，最佳時(shí)序設(shè)置記錄在內(nèi)存的spd中。主板可以自動(dòng)讀取。默認(rèn)是自動(dòng)的，不需要人工干預(yù)。如果手動(dòng)設(shè)置，將時(shí)序設(shè)置為較小的值，可以提高計(jì)算機(jī)的性能。但是也很容易崩潰。
內(nèi)存時(shí)序高會(huì)怎么樣？影響電腦性能嗎？
這些參數(shù)指定影響ram 速度的延遲（延遲時(shí)間）。較低的數(shù)字通常意味著更快的性能。決定系統(tǒng)性能的最后一個(gè)因素是實(shí)際延遲，通常以納秒為單位。內(nèi)存時(shí)序?qū)π阅苡泻艽笥绊憽?
高內(nèi)存時(shí)序會(huì)影響計(jì)算機(jī)性能。值越高，性能越差。日常使用表現(xiàn)基本沒感覺。用戶無法理解。在玩游戲的時(shí)候，會(huì)有明顯的差異，尤其是fps游戲，會(huì)有2幀以上的差異，這個(gè)差異是不小的。
無論是提高內(nèi)存頻率還是減少內(nèi)存時(shí)序，都可以提高電腦性能；如果更注重單核性能，需要考慮減少時(shí)序；如果在游戲性能方面，提高顯存頻率已經(jīng)到了瓶頸，可以考慮降低時(shí)序?？梢赃M(jìn)一步提高游戲性能。
而且超時(shí)時(shí)序不加壓對(duì)內(nèi)存沒有影響，加壓會(huì)有一些影響，但只要不超過6v，一般都沒有問題。內(nèi)存時(shí)序是描述內(nèi)存條性能的參數(shù)
，一般存儲(chǔ)在內(nèi)存條的spd中。
內(nèi)存的時(shí)序?qū)?nèi)存的性能是有影響的，其影響程度要比頻率小一些。
內(nèi)存占用過高會(huì)使電腦卡頓，運(yùn)行不流暢。導(dǎo)致內(nèi)存占用過高的原因有以下幾種：防殺毒軟件造成故障 。由于新版的kv、金山、瑞星都加入了對(duì)網(wǎng)頁、插件、郵件的隨機(jī)監(jiān)控，無疑增大了系統(tǒng)負(fù)擔(dān)。