1. hbm,人體放電模型,即帶電人體對(duì)器件放電,導(dǎo)致器件損壞。
放電途徑為:人體——器件——地。
2.mm,機(jī)器模型,即帶電設(shè)備對(duì)器件放電,導(dǎo)致器件損壞。放電途徑為:
機(jī)器——器件——地
3.cdm,帶電器件模型,即帶電器件直接對(duì)敵放電。
放電途徑為:器件——地。
4.ficdm,感應(yīng)放電模型,即器件感應(yīng)帶電后放電。
途經(jīng):電場(chǎng)——器件帶電——地。電磁兼容配置方案供應(yīng)商
一、電磁兼容知識(shí)大匯總
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三、射頻磁場(chǎng)輻射抗繞度試驗(yàn)【iec61000-4-3 】
四、電快速瞬變脈沖群的抗干擾度試驗(yàn)【iec61000-4-4 】
五、雷擊浪涌抗干擾度試驗(yàn)【iec61000-4-5 】
六、射頻傳導(dǎo)抗擾度試驗(yàn)【iec61000-4-6 】
七、工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)【iec61000-4-8 】
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十五、輻射發(fā)射測(cè)試系統(tǒng)【cispr22】
十六、喀嚦聲干擾測(cè)試系統(tǒng)【cispr22】
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