場效應管（mosfet）是一種常用的半導體器件，被廣泛應用于電子電路中的開關(guān)、放大器和整流器等方面。其工作原理是通過改變柵極電壓的大小而控制了源極和漏極之間的電場強度，從而使得漏電流得以控制。下面是關(guān)于mosfet工作原理的詳細介紹和舉例說明：
mosfet的基本結(jié)構(gòu)包括柵極、源極和漏極。其中柵極是一層薄膜，被夾在源極和漏極之間的二氧化硅層上。mosfet的工作原理是，當柵極通入一個電壓時，柵極和源極之間的電場就會受到影響，從而控制電荷在柵極和二氧化硅之間的分布。當柵極電壓為0v時，漏極上不會有電場，導致電荷容易流動，此時mosfet處于導通狀態(tài)。當柵極電壓增加時，二氧化硅層上的電荷分布會改變，并在源極和漏極之間形成一個反向電場，從而減慢電荷在漏極和源極短路的速度，此時mosfet處于截止狀態(tài)。
例如，一個mosfet可以用作電子開關(guān)，在電路中當控制電壓上升時開關(guān)關(guān)閉，而在控制電壓下降時則開關(guān)打開。這個開關(guān)可以用于控制其他電路元件（例如led燈或電機）的通斷。在深度電子電路中，mosfet的作用十分重要。