半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性：導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(如銅、鐵等)與絕緣體(如石頭、木頭)之間，主要有：si(硅)ge(鍺)gaas(砷化鎵)。
絕緣體：，半導(dǎo)體：。 影響半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能： 溫度、純度。
1. 本征半導(dǎo)體
半導(dǎo)體材料高度提純后的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。
以硅(si)半導(dǎo)體為例：最外層有4個電子，受原子核的束縛力最小。硅材料高度提純后，其原子結(jié)構(gòu)排列的十分整齊。
本征半導(dǎo)體的電特性：硅單晶體的原子結(jié)構(gòu)排列的非常整齊；每個原子外層的四個電子與相鄰四周的原子外層電子形成穩(wěn)定的共價鍵結(jié)構(gòu)；絕對零度時，價電子無法爭脫本身原子核束縛，此時本征半導(dǎo)體呈現(xiàn)絕緣體特性；在室溫下，本征半導(dǎo)體非常容易受熱激發(fā)產(chǎn)生電子—空穴對；這時的載流子濃度稱本征濃度，。本征濃度隨溫度的上升而增大，所以本征載流子濃度是溫度的函數(shù)。
常溫下，本征硅中自由電子的濃度或空穴的濃度為硅原子濃度的3萬億分之一。所以本征硅的導(dǎo)電能力是很弱的。自由電子和空穴總是成對出現(xiàn)，稱為電子空穴對。電子空穴對的產(chǎn)生稱為本征激發(fā)(熱激發(fā))。
在本征硅中，自由電子作為攜帶負電荷的載流子參加導(dǎo)電?？昭ㄒ部梢钥闯墒菙y帶正電荷的載流子(因二種載流子參加導(dǎo)電，所以，稱雙極型器件)。出現(xiàn)空穴后，共價鍵中的價電子就較易填補到這個空位上，過程的持續(xù)進行，相當(dāng)于空穴在晶體中移動。
在本征激發(fā)的同時，自由電子受原子核的吸引還可能重新回到共價鍵中，稱為復(fù)合。在一定溫度下，電子空穴對的熱激發(fā)與復(fù)合達到動態(tài)平衡，電子空穴對維持一定的濃度。
2. 雜質(zhì)半導(dǎo)體
為了提高半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力，摻入某些微量的有用元素作為雜質(zhì)，稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。
(1) n型半導(dǎo)體：在本征半導(dǎo)體中摻入磷、砷等五價元素。由于摻入量極微，所以硅的原子結(jié)構(gòu)基本不變，只是某些硅原子被雜質(zhì)替代了。該原子除外層的四個電子與相鄰四個硅原子組成穩(wěn)定的共價鍵結(jié)構(gòu)外，仍多出一個電子，所以，摻雜后的電子數(shù)已遠遠地超過由熱激發(fā)而產(chǎn)生的電子數(shù)。因此，摻雜后半導(dǎo)體中電子為多子，空穴為少子。稱電子型半導(dǎo)體或n型半導(dǎo)體。
n型半導(dǎo)體中的電子濃度為：其中：nd稱施主原子(為摻雜原子數(shù))。雜質(zhì)多余的自由電子非常容易失去，從而使雜質(zhì)原子變成帶正電的正離子。
(2) p型半導(dǎo)體：在本征半導(dǎo)體中摻入微量硼、鎵等三價元素。由于摻入量極微，所以硅的原子結(jié)構(gòu)基本不變，只是某些硅原子被雜質(zhì)替代了。該原子除外層的三個電子與相鄰四個硅原子組成共價鍵結(jié)構(gòu)外，還缺一個電子，留下一個空穴。所以，摻雜后的空穴數(shù)已遠遠地超過由熱激發(fā)而產(chǎn)生的空穴數(shù)。因此，摻入三價元素后半導(dǎo)體中的空穴為多子，電子為少子。稱空穴型半導(dǎo)體或p型半導(dǎo)體。
在p型半導(dǎo)體中的空穴濃度為：，其中：稱受主原子(為摻雜原子數(shù))。
雜質(zhì)留下的空穴，非常容易從其它地方的電子來補充，，從而使雜質(zhì)原子變成帶負電的負離子。
可以證明：在熱平衡的條件下，一種半導(dǎo)體中的二種載流子的乘積是一定的，與所摻雜質(zhì)無關(guān)。說明在半導(dǎo)體中，摻入雜質(zhì)越多，少子越少。
n型半導(dǎo)體中的少子濃度：
p型半導(dǎo)體中的少子濃度：
3. 半導(dǎo)體中載流子的運動
在半導(dǎo)體中，載流子有多種運動。但電子載流子與空穴載流子產(chǎn)生的運動形成的電流方向一致。
載流子的擴散運動—由濃度差引起。載流子由濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域運動。
擴散電流：
載流子的漂移運動—電場作用下載流子的定向運動， 電子逆電場方向運動，空穴順電場方向運動。漂移運動引起的電流稱漂移電流。
復(fù)合運動——載流子在運動過程中，電子和空穴相遇而消失。
愛因斯坦方程：擴散和漂移都滿足熱動力現(xiàn)象，而擴散常數(shù)d和遷移率m可用愛因斯坦方程表示：。
， 其中：k—波爾茲曼常數(shù)(焦爾/k)；t—絕對溫度(k)；q—電子電荷量(庫侖)。