用于硅晶片的全光學非接觸式厚度傳感器高動態(tài)范圍，能夠測量混亂的表面能夠在濕蝕刻過程中進行原位測量sit-200使用高速掃頻可調(diào)激光器（而不是寬帶光源）來探測被測晶片。這樣就可以對每個波長進行更高功率的測量，從而實現(xiàn)高動態(tài)范圍。即使在未拋光的晶片上，例如在濕蝕刻期間/之后，也可以進行厚度測量。硅下面文章將為您具體講解下《優(yōu)勢供應alnair硅晶圓厚度傳感器sit》等內(nèi)容，還請感興趣的繼續(xù)閱讀了解一下，謝謝!
用于硅晶片的全光學非接觸式厚度傳感器
高動態(tài)范圍，能夠測量混亂的表面
能夠在濕蝕刻過程中進行原位測量
sit-200使用高速掃頻可調(diào)激光器（而不是寬帶光源）來探測被測晶片。這樣就可以對每個波長進行更高功率的測量，從而實現(xiàn)高動態(tài)范圍。即使在未拋光的晶片上，例如在濕蝕刻期間/之后，也可以進行厚度測量。硅晶圓厚度傳感器由精確調(diào)諧的波長掃描激光源，聚焦傳感器和光接收器（pd）構成。波長掃描光聚焦在目標上，并且在通過傳感器后，pd會檢測到從目標表面反射回來的干涉圖樣。
產(chǎn)品參數(shù)
測量對象：硅片
可測厚度：10~500（n = 3.5）μm
光源：波長掃描激光源
（1515~1585）nm
光輸出功率：0.6，激光等級1 mw
引導光源：紅色ld，激光等級1m
測量時間：min.20 ms
重復性：小于0.1（3σ）μm
監(jiān)控輸出：干擾信號（電氣）
pc接口：以太網(wǎng)
電源：ac 100-240（50/60 hz）v
尺寸（寬x高x深）：364 x 147 x 391 mm
重量：9.0 kg
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