1，固態(tài)硬盤是用什么顆粒的2，怎么知道自己的固態(tài)硬盤是什么顆粒3，現(xiàn)在ssd固態(tài)硬盤什么顆粒和主控4，ssd固態(tài)硬盤是什么5，2012 ssd迅速普及 mlcslc顆粒你懂嗎1，固態(tài)硬盤是用什么顆粒的
mlc顆粒的固態(tài)硬盤一律采用閃存顆粒。
2，怎么知道自己的固態(tài)硬盤是什么顆粒
。?！肮虘B(tài)硬盤的顆粒”指ssd電路板上的閃存芯片啦。這“顆?！庇?slc、mlc、tlc、3d tlc類型，其讀寫速率和壽命與閃存類型密切相關(guān)。辨別，目前還只能靠查看產(chǎn)品的技術(shù)參數(shù)得知。
3，現(xiàn)在ssd固態(tài)硬盤什么顆粒和主控
120g級(jí)別的ssd真心不用考慮太多，三星750evo或者850evo就可以。選擇固態(tài)硬盤，當(dāng)然要選擇性價(jià)比最高的，性能也是最關(guān)鍵的，三星的850evo跟950系列，速度很快，開(kāi)機(jī)只要一眨眼的功夫，質(zhì)量也好，不容易壞。我一直用三星的ssd，。真的很不錯(cuò)。
4，ssd固態(tài)硬盤是什么
使用固態(tài)存儲(chǔ)顆粒作為存儲(chǔ)介質(zhì)的硬盤，固態(tài)存儲(chǔ)顆粒廣泛應(yīng)用于內(nèi)存條上。特點(diǎn)是讀寫速度快，完全靜音，省電，不怕震動(dòng)。缺點(diǎn)是價(jià)格昂貴，壽命短。與之相對(duì)的是傳統(tǒng)機(jī)械硬盤，用磁盤作為存儲(chǔ)介質(zhì)一種新（其實(shí)也不算新了）型硬盤，存儲(chǔ)介質(zhì)是閃存芯片。。優(yōu)點(diǎn)速度塊，4k讀寫快，無(wú)噪音，不怕振動(dòng)。。缺點(diǎn)貴，一旦壞了數(shù)據(jù)不能恢復(fù)。。至于壽命問(wèn)題完全不用考慮。。簡(jiǎn)單說(shuō)，用ssd各種流暢
5，2012 ssd迅速普及 mlcslc顆粒你懂嗎
經(jīng)過(guò)3-4年的發(fā)展，如今固態(tài)硬盤已經(jīng)成為很多用戶垂延的it產(chǎn)品 ，大家不再糾結(jié)它容量太小，而是更加依賴它高速讀寫能力。雖然用戶開(kāi)始關(guān)注ssd硬盤 固態(tài)硬盤flash顆粒 要認(rèn)清問(wèn)題，首先要搞明白什么是slc和mlc，它們屬于兩種不同類型的nand flash存儲(chǔ)器，用來(lái)作為mp3播放器、u盤、固態(tài)硬盤等產(chǎn)品的存儲(chǔ)介質(zhì)。slc全稱是single-level cell，即單層單元閃存，而mlc全稱則是multi-level cell，即為多層單元閃存。它們之間的區(qū)別，在于slc每一個(gè)單元，只能存儲(chǔ)一位數(shù)據(jù)，mlc每一個(gè)單元可以存儲(chǔ)兩位數(shù)據(jù)，mcl的數(shù)據(jù)密度要比slc大一倍。 ● slc和mlc芯片 這樣在nand flash的底層存儲(chǔ)上就引出了兩種不同的模式，slc（single level cell）和mlc（multi levels cell），它們之間各有優(yōu)缺點(diǎn)，現(xiàn)在在各類產(chǎn)品中都有采用。下面這樣表格可以較為直觀的展示出他們性能區(qū)別。 slc nand flash mlc nand flash random read 25 μs 50 μserase2ms per block 2ms per block programming 250 μs 900 μs slc的一個(gè)flash存儲(chǔ)單元只有兩種電荷值，高低不同的電荷值表明0或者1，因?yàn)橹恍枰唤M高低電壓就可以區(qū)分出0或者1信號(hào)，所以slc最大的驅(qū)動(dòng)電壓可以做到很低。slc結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，用一組變化電壓驅(qū)動(dòng)，速度很快同時(shí)壽命較長(zhǎng)也更為可靠，不過(guò)這種一個(gè)block只存儲(chǔ)一組數(shù)據(jù)的模式無(wú)法在相同的晶圓面積上實(shí)現(xiàn)較高的存儲(chǔ)密度，存儲(chǔ)容量提高完全依賴芯片工藝的提升。 slc芯片mlc閃存芯片 mlc故名思義在存儲(chǔ)單元中實(shí)現(xiàn)多位存儲(chǔ)能力，典型的是2bit。它通過(guò)不同級(jí)別的電壓在一個(gè)單元中記錄兩組位信息（00、01、11、10），這樣就可以將原本slc的記錄密度理論提升一倍。因?yàn)殡妷鹤兓l繁，所以mlc技術(shù)的flash在壽命方面遠(yuǎn)劣于slc，同時(shí)它的讀寫速度不如slc，一個(gè)block存儲(chǔ)兩組位數(shù)據(jù)，自然需要更長(zhǎng)的時(shí)間，這里面還有電壓控制、crc寫入方式等因素需要考慮。 slc和mlc電壓驅(qū)動(dòng)的存儲(chǔ)能力區(qū)別 顯而易見(jiàn)，slc在壽命和性能方面擁有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，不過(guò)需要更好的工藝制程才能擁有較大的容量。而mlc雖然在容量方面有先天的優(yōu)勢(shì)，但在速度和壽命方面存在先天的不足。這就區(qū)格了它們的應(yīng)用，slc用在不計(jì)成本追求速度和可靠性的企業(yè)級(jí)產(chǎn)品中，mlc更適合在消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品中部署。