按照正向壓降、反向耐壓、反向漏電流等性能，特別是反向恢復(fù)特性的不同介紹
在應(yīng)用時(shí)，應(yīng)根據(jù)不同場(chǎng)合的不同要求，選擇不同類型的電力二極管
性能上的不同是由半導(dǎo)體物理結(jié)構(gòu)和工藝上的差別造成的
1. 普通二極管（general purpose diode）
又稱整流二極管（rectifier diode）
多用于開關(guān)頻率不高（1khz以下）的整流電路中
其反向恢復(fù)時(shí)間較長(zhǎng)，一般在5s以上，這在開關(guān)頻率不高時(shí)并不重要
正向電流定額和反向電壓定額可以達(dá)到很高，分別可達(dá)數(shù)千安和數(shù)千伏以上
2. 快恢復(fù)二極管（fast recovery diode--frd）
恢復(fù)過程很短特別是反向恢復(fù)過程很短（5s以下）的二極管，也簡(jiǎn)稱快速二極管
工藝上多采用了摻金措施
有的采用pn結(jié)型結(jié)構(gòu)
有的采用改進(jìn)的pin結(jié)構(gòu)
采用外延型pin結(jié)構(gòu)的的快恢復(fù)外延二極管（fast recovery epitaxial diodes--fred），其反向恢復(fù)時(shí)間更短（可低于50ns），正向壓降也很低（0.9v左右），但其反向耐壓多在400v以下
從性能上可分為快速恢復(fù)和超快速恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)。前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長(zhǎng)，后者則在100ns以下，甚至達(dá)到20~30ns。
圖1 快速整流二極管的正向恢復(fù)特性
a） 管壓降隨時(shí)間變化的曲線 b) 二極管開通電流波形
3. 肖特基二極管
以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘為基礎(chǔ)的二極管稱為肖特基勢(shì)壘二極管（schottky barrier diode--sbd），簡(jiǎn)稱為肖特基二極管
20世紀(jì)80年代以來，由于工藝的發(fā)展得以在電力電子電路中廣泛應(yīng)用
肖特基二極管的優(yōu)點(diǎn)
反向恢復(fù)時(shí)間很短（10~40ns）
正向恢復(fù)過程中也不會(huì)有明顯的電壓過沖
在反向耐壓較低的情況下其正向壓降也很小，明顯低于快恢復(fù)二極管
其開關(guān)損耗和正向?qū)〒p耗都比快速二極管還要小，效率高
肖特基二極管的弱點(diǎn)
當(dāng)反向耐壓提高時(shí)其正向壓降也會(huì)高得不能滿足要求，因此多用于200v以下。
反向漏電流較大且對(duì)溫度敏感，因此反向穩(wěn)態(tài)損耗不能忽略，而且必須更嚴(yán)格地限制其工作溫度。