cmos工藝中plasma損傷wat方法研究:
硅圓片傳輸檢測，便是在半導體硅片完成所有的制程工藝后，對硅圓片上的各種檢測結構進行電性檢測，它是反映產品質量的一種手段，是產品入庫前進行的道質量檢驗。
隨著著半導體技術的發(fā)展壯大，plasma工藝已廣泛應用于集成電路制造中，離子注入、干法刻蝕、干法去膠、uv輻射、薄膜淀積等都很有可能會引入plasma損傷，而常規(guī)的wat結構無法監(jiān)測，很有可能致使元件的前期失效。
plasma工藝廣泛應用于集成電路制造中，比如plasma刻蝕、plasma增強式化學氣相淀積、離子注入等。它具有方向性好、反應快、溫度低.均勻性好等優(yōu)點。
但是它也同時帶來了電荷損傷，隨著柵氧化層厚度的不斷降低，這種損傷會越來越影響到mos元件的可靠性，因為它可以影響氧化層中的固定電荷密度、界面態(tài)密度、平帶電壓、漏電流等參數(shù)。
帶天線元件結構的大面積離子收集區(qū)(多晶或金屬)一般位于厚的場氧之上，因此只需要考慮薄柵氧上的隧道電流效用。大面積的收集區(qū)稱為天線，帶天線元件的隧道電流增加倍數(shù)等于厚場氧上的收集區(qū)面積與柵氧區(qū)面積之比，稱為天線比。
如果柵氧區(qū)較小，而柵極面積較大，大面積柵極收集到的離子將流向小面積的柵氧區(qū)，為了保持電荷平衡，由襯底注人柵極的隧道電流也需要隨之增加，增加的倍數(shù)是柵極與柵氧面積之比，增加了損傷效用，這種現(xiàn)象稱為“天線效用”。
對于柵注入的情況，隧道電流和離子電流之和等于plasma中總的電子電流。因為電流很大，即使沒有天線的增加效用，只要柵氧化層中的場強能產生隧道電流，就會引起plasma損傷。
在正常的電路設計中柵端一般都需要開孔經多晶或金屬互連線引出做功能輸入端，就相當于在薄弱的柵氧化層上引入了天線結構，所以在正常流片及wat監(jiān)測時所進行的單管元件電性檢測和數(shù)據分析無法反映電路中實際的plasma損傷情況。
氧化層繼續(xù)變薄到3nm以下，基本不用再考慮充電損傷問題，因為對于3nm厚度的氧化層而言，電荷積累是直接隧穿越過氧化層勢壘，不會在氧化層中形成電荷缺陷。