在如圖1所示的共射極接法的bjt的小信號(hào)模型中，h參數(shù)的數(shù)量級(jí)一般為
圖1
圖2
例如，對(duì)高頻小功率硅管3dg6，在ic=1ma，ib=3μa，vce=5v時(shí)的h參數(shù)，通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)得
由這些具體數(shù)字可見(jiàn)，hoe和hre相對(duì)而言是很小的，對(duì)于低頻放大電路，輸入回路中hrevce比vbe小得多，而輸出回路中負(fù)載電阻rc（或rl）比bjt輸出電阻1/hoe小得多，所以在模型中常常可以把hre和hoe忽略掉，這在工程計(jì)算上不會(huì)帶來(lái)顯著的誤差。同時(shí)采用習(xí)慣符號(hào)，用rbe代替hie并且b代替hfe，則圖1可簡(jiǎn)化成圖2所示模型電路。利用這個(gè)簡(jiǎn)化模型來(lái)表示bjt時(shí)，可使bjt放大電路的分析計(jì)算進(jìn)一步簡(jiǎn)化。當(dāng)負(fù)載電阻rc（或rl）較小，滿足rc（或rl）< 0.1rce的條件時(shí)，利用這個(gè)簡(jiǎn)化模型來(lái)分析低頻放大電路所得放大電路的各主要指標(biāo)，如電壓增益、電流增益、放大電路的輸入電阻ri及輸出電阻ro等，其誤差不會(huì)超過(guò)10%。