金屬—氧化物—半導(dǎo)體（metal-oxide-semiconductor）結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱mos晶體管，有p型mos管和n型mos管之分。由mos管構(gòu)成的集成電路稱為mos集成電路，而由pmos管和nmos管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型mos集成電路即為 cmos-ic（ complementary mos integrated circuit）。
cmos集成電路的性能特點(diǎn)
· 微直流功耗—cmos電路的單門靜態(tài)功耗在毫微瓦（nw）數(shù)量級(jí)。
· 高噪聲容限—cmos電路的噪聲容限一般在40%電源電壓以上。
· 寬工作電壓范圍—cmos電路的電源電壓一般為1.5~18伏。
· 高邏輯擺幅—cmos電路輸出高、低電平的幅度達(dá)到全電壓的
· “1”為vdd，邏輯“0”為vss。
· 高輸入阻抗—cmos電路的輸入阻抗大于108ω,一般可達(dá)1010ω。
· 高扇出能力—cmos電路的扇出能力大于50。
· 低輸入電容—cmos電路的輸入電容一般不大于5pf。
· 寬工作溫度范圍—陶瓷封裝的cmos電路工作溫度范圍為 - 55 0c ~ 125 0c；塑封的cmos電路為 – 40 0c ~ 85 0c。
· 所有的輸入均有刪保護(hù)電路，良好的抗輻照特性等。