輸出特性曲線是在基極電流ib一定的情況下，bjt的輸出回路中，集電極與發(fā)射極之間的電壓vce與集電極電流ic之間的關(guān)系曲線。其函數(shù)式為
npn型硅bjt的輸出特性如圖所示。由圖可見，在輸出特性的起始部分曲線很陡,當(dāng)vce超過某一數(shù)值（約1v）后，特性曲線變得比較平坦，且間隔基本均勻。輸出特性是形狀基本相同的曲線族。
在輸出特性的起始部分曲線很陡，vce略有增加時，ic增加很快，這是由于在vce很小時（約1v以下），集電結(jié)的反向電壓很小，對到達(dá)基區(qū)的電子吸引力不夠，這時ic受vce的影響很大。vce稍有增加，ic隨vce的增加而增加。
當(dāng)vce超過某一數(shù)值（約1v）后，特性曲線變得比較平坦。這是由于vce大于1v以后，集電結(jié)的電場已足夠強(qiáng)，它能將發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)的電子幾乎都收集到集電區(qū)，故vce再增加，ic就增加不多了,曲線變的平坦。
改變ib的值，即可得到一組輸出特性曲線。由式ic=bib可知，在vce大于零點(diǎn)幾伏以后，輸出特性是一組間隔基本均勻，比較平坦的平行直線。