lpc2114/2124/2210/2212/2214微控制器的arm內(nèi)核工作在最高頻率60mhz時，執(zhí)行一條指令約為17ns。而flash存儲器的訪問周期需要50ns，即最高頻率20mhz。所以如果將代碼存放在flash中，將影響arm內(nèi)核發(fā)揮最大效能。為了能將指令從內(nèi)部flash存儲器更高效快速地提取到arm內(nèi)核，而設(shè)計產(chǎn)生了一個存儲器加速模塊（mam）。
mam結(jié)構(gòu)
存儲器加速模塊寄存器描述
mam控制寄存器(mamcr)：
mamcr[1:0]：用于mam的模式控制，具體關(guān)系如下表。
存儲器加速模塊寄存器描述
mam定時寄存器(mamtim)：
mamtim[2:0]：決定使用多少個cclk周期訪問flash存儲器，這樣可以調(diào)整mam時序使其匹配處理器操作頻率，具體關(guān)系如下表。
當訪問周期設(shè)置為1個cclk時，實際上關(guān)閉了mam，但是仍可以選擇mam模式對功耗進行優(yōu)化。
注意：不正確的設(shè)定會導致器件的錯誤操作
mam使用要點
當改變mam定時值時，必須先將mamcr設(shè)置為0關(guān)閉mam，然后將新值寫入mamtim。最后將需要的操作模式的對應值（1或2）寫入mamcr，再次打開mam；
對于低于20mhz的系統(tǒng)時鐘，mamtim設(shè)定為001，將flash訪問時間設(shè)定為1cclk ；對于20mhz到40mhz之間的系統(tǒng)時鐘，建議將flash訪問時間設(shè)定為2cclk；高于40mhz的系統(tǒng)時鐘，建議使用3cclk。
相關(guān)啟動代碼分析
外部存儲器控制器概述
emc模塊支持4個獨立配置的存儲器組，每個存儲器組的總線寬度可設(shè)置為8、16或者32位，但是同一個存儲器組的器件必須寬度相同。
每個存儲器組最大支持16mb尋址空間。
支持字節(jié)定位讀取。
地址輸出線是a[23:0]，其中地址位a[25:24]用于4個存儲器組的譯碼（cs[3:0]）。
外部存儲器總線接口描述
接口引腳描述：
這些引腳與p1、p2和p3口gpio功能復用，所以在使用外部總線前首先要正確設(shè)置pinsel2寄存器?？梢栽谟布蠈σ_boot1:0設(shè)定，復位時微處理器自動初始化pinsel2。或者在軟件上字節(jié)初始化pinsel2，這只適用于片內(nèi)flash引導程序運行的系統(tǒng)中。
外部存儲器讀訪問典型波形：
經(jīng)過一個等待狀態(tài)后，存儲器輸出有效數(shù)據(jù)。
外部存儲器寫訪問典型波形：