離子鍍覆或等離子cvd工藝，作為干式涂層技術(shù)，不僅在工具和模具行業(yè)普遍采用，在機(jī)械零件或裝飾品等方面應(yīng)用也很廣泛，因此，這種工藝在涂層市場(chǎng)占有相當(dāng)大的份額。為了開(kāi)拓新的市場(chǎng)，必須突破現(xiàn)有涂層工藝的框架，開(kāi)發(fā)新的涂層技術(shù)。
現(xiàn)有涂層工藝的狀況是，與配置于真空容器內(nèi)的待涂層工件相比，所生成的等離子范圍較狹小，為了使鍍膜均勻和處理批量增大，涂層裝置內(nèi)必須增設(shè)使待處理件自轉(zhuǎn)和公轉(zhuǎn)的機(jī)構(gòu)，以便在工件外表面覆蓋上鍍膜。但僅靠對(duì)工件的夾持和使之回轉(zhuǎn)，不可能在工件內(nèi)表面和深凹的溝槽等部位獲得均勻的牢固粘附的鍍膜。另外，為了使離子注入以改變工件材料表面性質(zhì)，同時(shí)又不致產(chǎn)生剝落現(xiàn)象，這種裝置的價(jià)格十分昂貴，一般企業(yè)難以購(gòu)置。
如果待處理品為三維形狀工件，更必須讓其在真空中作三維式回轉(zhuǎn)。由此可見(jiàn)，涂層技術(shù)在降低生產(chǎn)成本和擴(kuò)大處理批量方面，尚有許多問(wèn)題亟待解決。
針對(duì)涂層工藝存在的上述問(wèn)題，1986年美國(guó)威斯康辛大學(xué)開(kāi)發(fā)了一種新技術(shù)，即將被處理物體置于等離子環(huán)境中，外加高電壓脈沖，從而可在三維形狀物體表面注入離子。此項(xiàng)技術(shù)的全稱(chēng)是plasmasourceionimplantation，簡(jiǎn)稱(chēng)psii技術(shù)。
1993年9月，在日本金澤市召開(kāi)的smmid93會(huì)議上，由jrconrad博士發(fā)表特別講演，將該項(xiàng)技術(shù)介紹到日本。隨后，日本也進(jìn)行了有關(guān)psii的研究，并提出了多篇研究報(bào)告。
從1998～2000年，日本組織產(chǎn)業(yè)界、高等院校和研究機(jī)關(guān)通力合作，經(jīng)過(guò)三年反復(fù)試驗(yàn)研究，終于在psii基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)出一種全新的涂層技術(shù)，即hybridpulseplasmacoating系統(tǒng)，簡(jiǎn)稱(chēng)hppc技術(shù)。
hppc技術(shù)的特點(diǎn)
psii技術(shù)是在被加工物體處于靜止?fàn)顟B(tài)（無(wú)自轉(zhuǎn)和公轉(zhuǎn)）時(shí)，在其三維復(fù)雜形狀的表面注入離子，從而達(dá)到改善表面物質(zhì)性能的效果。psii技術(shù)的原理是：對(duì)置于等離子環(huán)境中的物體外加負(fù)值高電壓，以在物體附近形成無(wú)電子包層，通過(guò)該包層外加高電壓，使等離子端部的離子被垂直注入于物體表面。